Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2024-26
［招待講演］半導体共進化微細IoTに向けた集積回路設計技術 ～ 発電・センシング一体型バイオ集積IoTに向けた 常時オン発振器と異なるしきい値電源電圧を有する信号バッファ群を用いた 0.9-2.6pW 0.1-0.25V 2ビット 22nm CMOS電源電圧・デジタル変換回路 ～
○新津葵一（京大）
pp. 1 - 6
SDM2024-27
［招待講演］バックグラウンド自動利得キャリブレーションと短時間CDSを用いた低消費電力・低ノイズΔΣ磁気センサ
○秋田一平（産総研）・立松峻一（愛知製鋼）
pp. 7 - 8
SDM2024-28
高周波Q値エンハンスメント技術の適用により高感度および高分解能を実現するグルコースセンサーの提案
○杉本泰博・山下喜一・安田 彰（法政大）
pp. 9 - 14
SDM2024-29
Performance Enhancement and Design Optimization of Analog-to-Digital Converters Utilizing Dynamic Logics
○Yuhao Xu・Ritaro Takenaka・Shuowei Li・Haoming Zhang・Tetsuya Iizuka（UTokyo）
pp. 15 - 20
SDM2024-30
［記念講演］半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の量子論に基づく数値解析手法
○岡田 丈・田中 一・森 伸也（阪大）
pp. 21 - 24
SDM2024-31
［記念講演］Output Power Properties of Flexible Thermoelectric Power Generators Based on Conductive Fabrics
○Hudzaifah Al Hijri・Hiroya Ikeda・Hiromu Hamasaki（Shizuoka Univ.）
pp. 25 - 28
SDM2024-32
［招待講演］Channel-All-Around型TiO2チャネルFeFETの動作実証とスケーラビリティ検証
○株柳翔一・浜井貴将・村瀬正恭・前田 健・齋藤真澄・藤井章輔（キオクシア）
p. 29
SDM2024-33
［招待講演］3D-NAND型メモリーにおけるワードラインの抵抗率低減
○寺田 博（東京エレクトロン）・山口克昌・横井 翼・鮫島 崇・鈴木啓介（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・中村源志・永井洋之（東京エレクトロン）
p. 30
SDM2024-34
［招待講演］クライオCMOS素子の物理 ～ 過渡応答特性を中心として ～
○内田 建（東大）
pp. 31 - 33
SDM2024-35
極低温下ホットキャリア注入によるしきい値電圧異常増大の理解
○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・加藤公彦・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・森 貴洋（産総研）
pp. 34 - 37
SDM2024-36
Steep Slope PN-Body Tied SOI-FETによるCMOSインバータ回路での貫通電流の削減
○中橋和希・森 貴之・井田次郎（金沢工大）
pp. 38 - 41
SDM2024-37
［招待講演］CMOS-ICによるテラヘルツセンサ技術 ～ 300GHz帯MIMOレーダによる短距離断層撮像の原理実証 ～
○杣田一郎・平井暁人・平 明徳・石岡和明・西村拓真・山中宏冶（三菱電機）
pp. 42 - 47
SDM2024-38
機械学習モデルを用いたサブテラヘルツ帯小信号増幅器の回路トポロジ自動選択
○長谷川 司・高野恭弥（東京理科大）
pp. 48 - 52
SDM2024-39
RCフィルタ入力デッドタイムコントローラを用いたパッケージ集積型100MHz帯CMOS型D級LC発振コンバータの検討
○角田篤哉・宮地幸祐（信州大）
pp. 53 - 58
SDM2024-40
産業用ドローンにおける電子回路の放射電磁ノイズとGPSへの干渉評価
○上原 啓（神戸大）・渡邊 航（NICT）・芦田壮亮・三家雄志・田中 聡・永田 真（神戸大）
pp. 59 - 63
SDM2024-41
3次元積層チップにおける近傍の熱特性の評価と解析
○横田脩平・長谷川陸宇・門田和樹・沖殿貴朗・三木拓司・永田 真（神戸大）
pp. 64 - 68
SDM2024-42
［依頼講演］128チャネルのスローライトグレーティングアンテナを高解像度かつ小規模集積したFMCW-LiDARチップの評価検証
○前田雄也・蛯子芳樹・寺田晴彦・鉄矢 諒・安 陽太郎・前田俊二（ソニーセミコン）・玉貫岳正・鎌田幹也・廣谷圭祐・須山実之・山本浩平・名和翔太・久保田 陸・馬場俊彦（横浜国大）
pp. 69 - 72
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．