Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2025-32
［招待講演］原子層堆積法で成膜した真性移動度120cm2/Vsを超える多結晶Ga-doped In2O3ナノシート
○髙橋崇典（奈良先端大）・星井拓也（Science Tokyo）・霍間勇輝・砂川美佐・笘井重和（出光興産）・朴 鍾鎬・玉元海樹・角嶋邦之（Science Tokyo）・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 1 - 2
SDM2025-33
［招待講演］超高積層3次元フラッシュメモリの消去動作を実現するショットキーソース接合構造
○橋本 晋・中塚圭祐・日詰湧真・竹田 裕・来栖貴史・坂田晃一・吉田宗司・荒井伸也（キオクシア）・翁 輝雄（サンディスク）・関根克行（キオクシア）
p. 3
SDM2025-34
PN-Body Tied SOI-FETによるニューロン動作 ～ 入力の高インピーダンス化検討 ～
○山﨑征彦・森 貴之（金沢工大）・米崎晴貴（キオクシア,金沢工大）・井田次郎（金沢工大）
pp. 4 - 7
SDM2025-35
［招待講演］極薄膜HZOにおけるwake-upダイナミクス：酸素を介したドメインde-pinningと最適周波数
○伊藤広恭・竹中 充（東大）・高木信一（帝京大）・トープラサートポン カシディット（東大）
pp. 8 - 13
SDM2025-36
機械学習によるサブテラヘルツ帯小信号回路トポロジの自動生成
長谷川 司・○高野恭弥（東京理科大）
pp. 14 - 17
SDM2025-37
トンネルFETにおける単一の深いドーパントスピンに依存した室温伝導特性 ～ シリコントランジスタで実装される室温動作量子ビットの実現へ向けて ～
○大野圭司（理研）
pp. 18 - 21
SDM2025-38
4.6-373K動作可能なBuffer-then-Amplifyチャージポンプによる800MS/s 12bパイプライン型TI-SAR ADC
○山下 薫・吉岡健太郎・石黒仁揮（慶大）
pp. 22 - 27
SDM2025-39
電荷ノイズを考慮したシミュレーションによるシリコン量子ビット忠実度の温度依存性の検証
○佐藤優大（東京理科大/産総研）・浅井栄大・森 貴洋（産総研）・河原尊之（東京理科大）
pp. 28 - 31
SDM2025-40
［招待講演］Exchange Only半導体量子コンピュータを想定した機械学習アプリケーションやミドルウェア
○湊 雄一郎（blueqat）
pp. 32 - 37
SDM2025-41
［招待講演］超AIへの脳型コンピュータおよびインメモリコンピューティングにおける挑戦
○丸亀孝生（北大）
p. 38
SDM2025-42
同一構成で昇・降圧が可能な、高い昇・降圧比を持つDC-DCコンバータ回路の提案
○杉本泰博（杉本技士事務所）・崔 通（東京工芸大）
pp. 39 - 44
SDM2025-43
Closed-Loop Active Gate Driver IC With Integrated Sensing Functions for IGBTs
○Yaogan Liang・Yohei Sukita・Michihiro Ide・Makoto Takamiya（The Univ. of Tokyo）
pp. 45 - 50
SDM2025-44
RISC-VプロセッサにおけるRoCC拡張による低エネルギーSortの実現
○増田大輝・武内良典（近畿大）
pp. 51 - 56
SDM2025-45
半導体チップの排熱と漏洩を評価する熱シミュレーションの検討
○横田脩平・長谷川陸宇・門田和樹・沖殿貴朗・三木拓司・永田 真（神大）・Lang Lin・Norman Chang（アンシス）
pp. 57 - 61
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．