Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2026-44
［招待講演］GAAおよび3D積層FETの技術動向とLSTCでの取り組み
○平本俊郎（東大/LSTC）・若林 整（科学大/LSTC）
pp. 1 - 2
SDM2026-45
［招待講演］量子ドット中のスピン間交換相互作用のシミュレーション ～ グリーン関数法による不均一誘電環境の考慮 ～
○浅井栄大・飯塚将太・服部淳一・池上 努・中山隆史・森 貴洋（産総研）
pp. 3 - 6
SDM2026-46
［招待講演］3次元集積化に向けたウェハ間接合の実験的モデリング
○井上史大（横浜国大）
pp. 7 - 10
SDM2026-47
［招待講演］確率的機構としての帯電効果を考慮した高アスペクト比エッチングのねじれ現象
○池田大志・小武守 恒・中村悟史・八島健太・大村 匠・嘉山康之（DSRJ）・YunTae Lee・辻 幸秀・Shinwook Yi・Moon-Hyun Cha・Jaehoon Jeong（SEC）
pp. 11 - 16
SDM2026-48
［招待講演］SEM過渡信号によるMOSFET電気特性評価のためのTCAD-SPICEシミュレーションフレームワーク
○小林唯華・中村洋平（日立）・山口真司（日立ハイテク）
pp. 17 - 22
SDM2026-49
［招待講演］FeFETメモリウィンドウばらつきのモデリング
○園田賢一郎・津田是文・山口 直・天羽生 淳・佃 栄次（ルネサスエレクトロニクス）
pp. 23 - 28
SDM2026-50
［招待講演］3DフラッシュメモリのZ方向ピッチ微細化限界に関するシミュレーション研究：サブ40 nm実現に向けて
○小倉達朗・日詰湧真・尾関悠斗・掛川卓由・竹田 裕・来栖貴史・沖 知普・関根克行（キオクシア）
pp. 29 - 30
SDM2026-51
［招待講演］SISPAD2026 レビュー
○佐藤伸吾（関西大）
pp. 31 - 36
SDM2026-52
［招待講演］異方性を持つ低次元半導体ナノ構造における量子輸送の物理的基礎の再検討
○森 伸也（阪大）
pp. 37 - 40
SDM2026-53
［招待講演］物理情報ニューラルネットワークによる半導体デバイス解析 ―順問題から逆問題へ―
○相馬聡文（神戸大）・植田暁子（産総研）
pp. 41 - 46
SDM2026-54
ドリフト速度と飽和速度の競合に基づくMOSFETドレイン飽和電流の統一的フレームワーク
○執行直之・三浦 沖（熊本大）
pp. 47 - 50
SDM2026-55
［招待講演］機械学習を用いたCFET SRAMのソフトエラー予測モデルの検討
○シエラ ファネス フィルベルト・鎌倉良成（阪工大）
pp. 51 - 56
SDM2026-56
生成AI時代に向けた、積層型GAAトランジスタを用い低コストな大容量高速半導体メモリ及びロジックLSIの提案
○石川 諒・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 57 - 62
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．