| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-08-03 16:30
TFT制御FED
○長尾昌善・安室千晃・坂村祐一・金丸正剛・伊藤順司（産総研） |
| 抄録 |
（和） |
フィールドエミッションディスプレイの各画素のフィールドエミッタアレイ（FEA）を薄膜トランジスタ（TFT）で制御する”TFT制御FED”の作製を試みた．TFTとしては，9段のマルチゲート電極とLDD構造を併せ持つポリシリコンTFTを採用し，FEAにはガラス基板上に低温で形成できるようにアモルファスシリコンをArイオンエッチングで先鋭化した基体に，特性改善のためにHfCを被覆したものを用いた．これらの基礎的な電子放出特性を真空チャンバー内で確認し，TFTによりエミッション電流が完全に制御できることを確認した．また，ディスプレイとして真空パネルに封止するための方法として，完全真空中でのパッケージングを試みた．封止パネル内でHfC被覆FEAをDCで連続動作させ，2500時間以上全く電流劣化が見られないことを確認した．さらに，作製したTFT制御FEDを真空パネル内にパッケージしたものを作製し，動作を確認した． |
| （英） |
Thin-film transistor-controlled field-emission display (TFT-controlled FED) was fabricated. Each pixel of the FED has field emitter array (FEA) and a thin-film transistor (TFT) as a control device of FEA. We adopted a multi-gate and lightly-doped drain structured poly-Si TFT for the emission control device. We also adopted amorphous Si FEA with HfC coating for each pixel. Precise control of the emission current by the built-in poly-Si TFT was demonstrated in vacuum chamber. We also developed new packaging method for FED in which sealing of glass panel was performed in vacuum chamber. This method has an advantage of damage free packaging of emitting device. The emission life time of the HfC-coated FEA was measured in the sealed vacuum envelope. More than 2500 hrs of continuous emission without degradation was confirmed. Active matrix device we fabricated is sealed in vacuum envelope using the new method, that is TFT-controlled FED, and its operation was confirmed. |
| キーワード |
（和） |
真空ナノエレクトロニクス / フィールドエミッションディスプレイ / 薄膜トランジスタ / ハフニウムカーバイド / / / / |
| （英） |
vacuum nanoelectronics / field emission display / thin film transistor / hafnium carbide / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 200, ED2006-126, pp. 47-52, 2006年8月. |
| 資料番号 |
ED2006-126 |
| 発行日 |
2006-07-27 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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