| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-08-07 15:25
CVD法によるアナタース酸化チタン薄膜の低温形成
○廣瀬文彦・伊藤正志・松島 優（山形大） |
| 抄録 |
（和） |
チタンイソプロポオキシドを原材料として、過酸化水素水蒸気を酸化剤としたMOCVD法で、Si上に250℃でアナタース酸化チタンの形成に成功した。このときの成長速度は17A/sを達成した。作製された膜は光触媒膜として機能することを明らかにした。 |
| （英） |
We have successfully deposited antase TiO2 on Si surfaces by MOCVD with a precursor titaneisopropoxide and an oxidant of H2O2 vapor. The typical growth rate is 17A/s. The grown TiO2 exhibited photocatalytic activity. |
| キーワード |
（和） |
酸化チタン / CVD / 低温 / 結晶 / 光触媒 / / / |
| （英） |
TiO2 / CVD / low temperature / crystal / photocatalytist / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 203, CPM2006-44, pp. 21-23, 2006年8月. |
| 資料番号 |
CPM2006-44 |
| 発行日 |
2006-07-31 (CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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