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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-16 16:10 ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 ○武山真弓（北見工大）・中台保夫・神原正三（アルバックマテリアル）・畠中正信（アルバック）・野矢 厚（北見工大）  CPM2007-111 |
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| 抄録 | （和） | Si-ULSI におけるCu 配線の拡散バリヤに、ZrB2 という新たな材料を適用するために、プロセスに適用可能な低温で堆積することが可能かどうか検討した。まず、ZrB2 膜のキャラクタリゼーションを検討した結果、ZrB2膜は基板温度を500℃まで変化させても、明確な結晶性を示さないこと、基板が異なる場合には、配向成長する場合があること、絶縁膜上と導体上では抵抗率が異なること等の特徴を有することがわかった。また、ZrB2 膜は700℃で1 時間の熱処理後においても、顕著な構造変化を示さない熱的に安定な材料であることが知られた。このZrB2膜をCu/SiO2 間の拡散バリヤとして適用した結果、3nm 程度と極めて薄いZrB2 膜を用いたにもかかわらず、500℃程度以上の熱処理に耐えられる優れたバリヤ特性を示すことが明らかとなった。したがって、ZrB2 膜は今後のSi-ULSI におけるバリヤ材料として十分に適用可能なことが示唆された。 |
| （英） | The extremely thin diffusion barrier deposited at low temperature is urgently required for reliable Cu interconnects applicable to 45 nm technology node or beyond. In the present study, we investigated the low-temperature deposition of the ZrB2 barrier as an attractive material applicable to interconnects process. The thin ZrB2 film is obtained at the deposition temperatures from room-temperature to 500 ℃, and is thermally stable up to 700 ℃ for 1 h without structural change. Also, the structure of the ZrB2 film depends on the kinds of substrate, but not on the deposition temperature examined. The obtained ZrB2 barrier with 3nm thickness has good barrier properties without structural change and intermixing at every interface in the Cu/ZrB2(3nm)/SiO2/Si system. We can demonstrate that the ZrB2 film is one of the materials applicable to the extremely thin barrier of high reliability for Cu metallization technology. |
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| キーワード | （和） | Cu 配線 / 拡散バリヤ / ZrB2 / 熱的安定性 / / / / |
| （英） | Cu interconnects / diffusion barrier / ZrB2 / thermal stability / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-111, pp. 35-38, 2007年11月. | |
| 資料番号 | CPM2007-111 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-17 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学 |
| 開催地（英） | Nagaoka University of Technology |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and barrier properties of ZrB2 thin films for Cu interconnects |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu 配線 / Cu interconnects |
| キーワード(2)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(3)（和/英） | ZrB2 / ZrB2 |
| キーワード(4)（和/英） | 熱的安定性 / thermal stability |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中台 保夫 / Yasuo Nakadai / ナカダイ ヤスオ |
| 第2著者 所属（和/英） | アルバックマテリアル（株） (略称： アルバックマテリアル) ULVAC Materials, Inc. (略称： ULVAC Materials, Inc.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神原 正三 / Shozo Kambara / カンバラ ショウゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | アルバックマテリアル（株） (略称： アルバックマテリアル) ULVAC Materials, Inc. (略称： ULVAC Materials, Inc.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畠中 正信 / Masanobu Hatanaka / ハタナカ マサノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | （株）アルバック (略称： アルバック) ULVAC, Inc. (略称： ULVAC, Inc.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Technol.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-16 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-111 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.325 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) |
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