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| 講演名 | 2007-11-17 14:40 Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE ○Joel T. Asubar・Tadasuke Yokoyama・Yoshio Jinbo・Naotaka Uchitomi（長岡技科大）  CPM2007-125 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-125 |
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| 抄録 | （和） | Ternary ZnSnAs2 thin films were grown on n-type and semi-insulating (001) InP substrates by molecular beam epitaxy using the same grown conditions previously reported. In situ RHEED observations revealed streaky patterns indicating two dimensional growth mode for all the samples. HRXRD and Raman spectroscopy studies suggest the presence of both the chalcopyrite and sphalerite phases. Hall effect measurements in van der Pauw configuration from 5K to RT were then performed on the sample grown on the semi-insulating substrate. Hole concentration of p=5.98´1018 cm-3, hole mobility of m=23.61 cm2/Vs and resistivity of r=4.43´10-2 Ω-cm were obtained at room temperature. We confirmed the presence of a maximum in the Hall coefficient temperature dependence curve at ~130K similar to those reported in bulk chalcopyrite ZnSnAs2, which can be explained by two-band (valence and acceptor bands) model. From the temperature dependence of the valence band hole concentration, the impurity band was calculated to be located at 0.034eV from the valence band edge. Current-voltage measurements on the p-ZnSnAs2/n-InP heterojunction diode revealed I-V curves characteristic of a typical pn-junction. |
| （英） | Ternary ZnSnAs2 thin films were grown on n-type and semi-insulating (001) InP substrates by molecular beam epitaxy using the same grown conditions previously reported. In situ RHEED observations revealed streaky patterns indicating two dimensional growth mode for all the samples. HRXRD and Raman spectroscopy studies suggest the presence of both the chalcopyrite and sphalerite phases. Hall effect measurements in van der Pauw configuration from 5K to RT were then performed on the sample grown on the semi-insulating substrate. Hole concentration of p=5.98´1018 cm-3, hole mobility of m=23.61 cm2/Vs and resistivity of r=4.43´10-2 Ω-cm were obtained at room temperature. We confirmed the presence of a maximum in the Hall coefficient temperature dependence curve at ~130K similar to those reported in bulk chalcopyrite ZnSnAs2, which can be explained by two-band (valence and acceptor bands) model. From the temperature dependence of the valence band hole concentration, the impurity band was calculated to be located at 0.034eV from the valence band edge. Current-voltage measurements on the p-ZnSnAs2/n-InP heterojunction diode revealed I-V curves characteristic of a typical pn-junction. | |
| キーワード | （和） | ternary semiconductor / MBE / transport properties / van der Pauw / Impurity Band / / / |
| （英） | ternary semiconductor / MBE / transport properties / van der Pauw / Impurity Band / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-125, pp. 103-107, 2007年11月. | |
| 資料番号 | CPM2007-125 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-125 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-125 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-17 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学 |
| 開催地（英） | Nagaoka University of Technology |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-11-CPM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ternary semiconductor / ternary semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(3)（和/英） | transport properties / transport properties |
| キーワード(4)（和/英） | van der Pauw / van der Pauw |
| キーワード(5)（和/英） | Impurity Band / Impurity Band |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Joel T. Asubar / Joel T. Asubar / |
| 第1著者 所属（和/英） | Nagaoka University of Technology (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Tadasuke Yokoyama / Tadasuke Yokoyama / |
| 第2著者 所属（和/英） | Nagaoka University of Technology (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yoshio Jinbo / Yoshio Jinbo / |
| 第3著者 所属（和/英） | Nagaoka University of Technology (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Naotaka Uchitomi / Naotaka Uchitomi / |
| 第4著者 所属（和/英） | Nagaoka University of Technology (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-17 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-125 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.325 |
| ページ範囲 | pp.103-107 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) |
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