| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-12-14 13:30
ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測 ○古川弘和・東 清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一(広島大) SDM2007-228 |
| 抄録 |
(和) |
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプローブ光として照射して測定した実時間反射率波形を解析することで、Siウェハの実時間温度変化をミリ秒時間分解能で決定することが出来た。本測定法は光学干渉に基づいているため温度変化に対する感度が高く、104~105 K/sという高い加熱・冷却レート下でも理想的には2K程度の高い測定温度精度が期待できる。したがって、本測定法がミリ秒時間分解非接触測定技術として有効であることが分かった。 |
| (英) |
In-situ measurement technique of temperature profile in Si wafer during millisecond rapid thermal annealing has been developed. By analyzing the oscillation observed in transient reflectivity during the annealing, we obtain the transient temperature profile with millisecond time resolution. Since this measurement is based on optical interference, highly sensitive temperature measurement with an accuracy of 2 K is expected. Based on the measurement technique, Si wafer surface temperature during thermal plasma jet irradiation has controlled with the heating and cooling rates in the order of 104 ~ 105 K/s. |
| キーワード |
(和) |
Siウェハ / ミリ秒急速熱処理 / その場観測 / 非接触測定 / / / / |
| (英) |
Si wafer / millisecond rapid thermal annealing / in-situ measurement / non-contact measurement / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-228, pp. 27-29, 2007年12月. |
| 資料番号 |
SDM2007-228 |
| 発行日 |
2007-12-07 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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