ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2007-12-14 15:10
シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果
岸山友紀高橋 優大鐘章義Athapol Kitiyanan浦岡行治冬木 隆奈良先端大SDM2007-232
抄録 (和) Si太陽電池の高効率化に際し、高品質な表面パッシベーション技術の開発とその評価は必要不可欠なものとなっている。本研究では、Si表面にNH3プラズマ処理を施し、その後プラズマCVDを用いてSiNx膜を堆積させパッシベーションを行った。その結果、NH3プラズマ処理を施していないものに比べて、大幅な実効キャリアライフタイムの改善が見られた。堆積後、さらにアニール処理を行いパッシベーション膜がどの程度の熱に耐えられるのかを調べた。また、NH3プラズマ処理を用いて太陽電池作製プロセスの低温化について検討した。 
(英) The effect of NH3 plasma treatment on p-type (Fz) Si substrates was investigated relating with the post annealing process. NH3 plasma treatment before the low temperature deposition of silicon nitride (SiNx) by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) was found to be effective to improve the surface passivation. The effective lifetime with NH3 plasma-treatment exceeded the effective lifetime without the NH3 treatment. For fire through process and the new process, like laser fired contacts (LFC), thermal resistance of passivation processes investigated. In the result of NH3 plasma-treatment, outstanding surface passivation for high efficiency thin silicon solar cells was obtained using SiN films deposited at low temperatures.
キーワード (和) 太陽電池 / SiNx / パッシベーション / NH3プラズマ処理 / / / /  
(英) Solar cell / SiNx / Passivation / NH3 plasma treatment / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-232, pp. 43-46, 2007年12月.
資料番号 SDM2007-232 
発行日 2007-12-07 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2007-232

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2007-12-14 - 2007-12-14 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) Nara Institute Science and Technology 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Silicon related material, process and device 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2007-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Interface modification by NH3 plasma in SiNx passivation for solar cell 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 太陽電池 / Solar cell  
キーワード(2)(和/英) SiNx / SiNx  
キーワード(3)(和/英) パッシベーション / Passivation  
キーワード(4)(和/英) NH3プラズマ処理 / NH3 plasma treatment  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸山 友紀 / Yuki Kishiyama / キシヤマ ユキ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 優 / Yu Takahashi / タカハシ ユウ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大鐘 章義 / Akiyoshi Ogane / オオガネ アキヨシ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Athapol Kitiyanan / Athapol Kitiyanan / Athapol Kitiyanan
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第6著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2007-12-14 15:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2007-232 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.388 
ページ範囲 pp.43-46 
ページ数
発行日 2007-12-07 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会