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講演抄録/キーワード
講演名 2008-05-15 14:50
RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成
堀内郁志以西雅章静岡大ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25
抄録 (和) 近年環境問題に対する関心は年々高まってきている。そのため排気ガスの制御に利用される高温用酸素ガスセンサとして酸化ガリウムが注目されている。そこで本研究ではβ-Ga2O3薄膜をスパッタリング法で生成し、熱処理による結晶特性への影響、薄膜生成時のO2ガス流量が与える結晶特性への影響について調べた。その結果、生成した薄膜は熱処理を行なうことで結晶特性が向上することがわかった。また、アルゴンと酸素の流量比が総流量2.4sccmにおいてAr:O2=5:1のときに最もよい結晶特性の薄膜が得られた。 
(英) Interest for environmental problems has been growing these days. Gallium oxide have been focused as an oxygen (O2) gas sensor which is used for controlling exhausted gases at high temperature. These films were deposited by a RF magnetron sputtering. The effects of annealing process and O2 gas flow rate on crystallinity were investigated. As a result, it was found that the crystallinity was improved after annealing process. It was also found that high quality films could be prepared under the Ar:O2 flow rate of 5:1 at the total gas pressure of 2.4sccm.
キーワード (和) 酸化ガリウム / 金属酸化物 / マグネトロンスパッタリング法 / 急速アニール / 酸素センサ / / /  
(英) Gallium oxide / Metal oxides / Magnetron sputtering method / Rapid thermal annealing(RTA) / Oxygen sensor / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 35, CPM2008-13, pp. 19-22, 2008年5月.
資料番号 CPM2008-13 
発行日 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2008-05-15 - 2008-05-16 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2008-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation of β-Ga2O3 films by RF magnetron sputtering method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化ガリウム / Gallium oxide  
キーワード(2)(和/英) 金属酸化物 / Metal oxides  
キーワード(3)(和/英) マグネトロンスパッタリング法 / Magnetron sputtering method  
キーワード(4)(和/英) 急速アニール / Rapid thermal annealing(RTA)  
キーワード(5)(和/英) 酸素センサ / Oxygen sensor  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀内 郁志 / Takashi Horiuchi / ホリウチ タカシ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 以西 雅章 / Masaaki Isai / イサイ マサアキ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-05-15 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2008-5, CPM2008-13, SDM2008-25 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) 


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