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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-16 11:15 Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性 ○広森公一・石川博康・十倉史行・嶋中啓太・森 直人・森本智彦（名工大）  ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34 |
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| 抄録 | （和） | Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNについて、諸特性のリアクタ圧力依存性を調べた。成長圧力が高くなるに従いAl固相比は小さく膜厚は薄くなり、Al気相比が大きい程顕著であった。X線回折ωスキャンによるマクロレベルでの結晶評価では結晶品質の成長圧力依存性は見られなかった。一方、二次イオン質量分析による不純物分析より、成長圧力を高くするに従い全Al固相比でC濃度が減少すること、また成長圧力を高くなるとAl固相比に対して指数関数的にC濃度が増加する傾向になることがわかった。 |
| （英） | AlxGa1-xN films were grown on Si substrates as a function of reactor pressure using a low-pressure MOCVD method. The Al solid composition and thickness decrease with the increase of the reactor pressure due to the parasitic reaction between metalorganics and ammonia in the vapor phase, depending on the TMA vapor composition. While full-width at half-maximum values of X-ray ω-scan don’t show significant dependence on the reactor pressure, the carbon (C) concentration in AlxGa1-xN decreases over the entire range of the solid composition with the increase of the reactor pressure. The C concentration increases exponentially to the Al solid composition at the higher reactor pressure. | |
| キーワード | （和） | Si基板 / MOCVD / AlGaN / 減圧 / SIMS / / / |
| （英） | Si substrates / MOCVD / AlGaN / Low-pressure / SIMS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 35, CPM2008-22, pp. 67-70, 2008年5月. | |
| 資料番号 | CPM2008-22 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Low-Pressure MOCVD-grown AlxGa1-xN on Si substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si基板 / Si substrates |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | 減圧 / Low-pressure |
| キーワード(5)（和/英） | SIMS / SIMS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広森 公一 / Kouichi Hiromori / ヒロモリ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa / イシカワ ヒロヤス |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 十倉 史行 / Fumiyuki Tokura / トクラ フミユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋中 啓太 / Keita Shimanaka / シマナカ ケイタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 直人 / Naoto Mori / モリ ナオト |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 智彦 / Tomohiko Morimoto / モリモト トモヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-16 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2008-14, CPM2008-22, SDM2008-34 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
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