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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-16 13:40 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I) ○渡邊彰伸・甲斐康寛・山田 航・市橋 果・米山知宏・加藤大祐・松本和也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）  ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長法による，Si基板上のCdTe層のヨウ素ドーピング特性について検討を行った．成長原料として，DMCdとDETeを用い，ドーパントとしてEIを用いた．成長温度を325℃とし，VI/II比を0.25とした場合，EI供給量を10-10から10-8mol/minの範囲で制御することによって，電子密度を1013から1016cm-3に制御することが可能であることが分かった． |
| （英） | Iodine doping of CdTe layers grown on Si substrates by metal-organic vapor phase epitaxy has been studied using ethyliodine (EI) as a dopant. CdTe layers were grown at the growth temperature of 325 ℃ and the DETe/DMCd supply ratio of 0.25. n-type layers with electron concentrations from 1013 to 1016 cm-3 were obtained by controlling the supply rate of EI. The grown layers were also examined by photoluminescence (PL) at 4.2K. PL spectra of doped layers showed consistent variation with incorporation of iodine. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / n-CdTe / EIドーピング / Si基板上のCdTe / / / / |
| （英） | MOVPE / n-CdTe / EI doping / CdTe on Si substrate / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 35, CPM2008-25, pp. 81-84, 2008年5月. | |
| 資料番号 | CPM2008-25 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Iodine doping of CdTe Layers on Si Substrates Grown by MOVPE ( I ) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | n-CdTe / n-CdTe |
| キーワード(3)（和/英） | EIドーピング / EI doping |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板上のCdTe / CdTe on Si substrate |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 彰伸 / Akinobu Watanabe / ワタナベ アキノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甲斐 康寛 / Yasuhiro Kai / カイ ヤスヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 航 / Wataru Yamada / ヤマダ ワタル |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市橋 果 / Hatasu Ichihashi / イチハシ ハタス |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米山 知宏 / Tomohiro Yoneyama / ヨネヤマ トモヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 大祐 / Daisuke Kato / カトウ ダイスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 和也 / Kazuya Matsumoto / マツモト カズヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安形 保則 / Yasunori Agata / アガタ ヤスノリ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | ニラウラ マダン / Madan Niraula / ニラウラ マダン |
| 第9著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda / ヤスダ カズヒト |
| 第10著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-16 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2008-17, CPM2008-25, SDM2008-37 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.81-84 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
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