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講演抄録/キーワード
講演名 2008-05-16 13:15
歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係
前多悠也金 秀光谷奥雅俊渕 真悟宇治原 徹竹田美和山本尚人真野篤志中川靖英山本将博奥見正治中西 彊名大)・坂 貴大同工大)・堀中博道阪府大)・加藤俊宏大同特殊鋼ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
抄録 (和) 我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功している。その中で、基板をGaAsからGaPに変更することで、偏極度が低下し、さらにGaP基板上にGaAs中間層を導入することで、偏極度が改善されることを見いだした。本研究では、このメカニズムを明らかにするため、それぞれの下地の上に成長するGaAsPバッファ層の歪み緩和過程に注目した。その結果、バッファ層に面内引張歪みが生じるときは、主にクラックにより、面内圧縮のときは主に転位導入により歪み緩和し、電子のスピン偏極度は、転位によって低下するが、クラックの影響はほとんど受けないことを見いだした。 
(英) We successfully developed a super-high brightness and high-spin-polarization electron source based on GaAs/GaAsP strain superlattice. In the development, we found out that the polarization of superlattice grown on a GaP substrate was lower than that on a GaAs substrate, and inserting a GaAs interlayer on a GaP substrate improved the polarization. From a viewpoint of strain relaxation process in a GaAsP buffer layer, the mechanism of polarization degradation was investigated. The buffer layer with in-plain tensile strain is relaxed by inducing some cracks. On the other hand, the buffer layer with in-plain compressive strain is relaxed by inducing some dislocations. A dislocation disturbs a spin of electron in the sample more effectively than a crack does.
キーワード (和) 超格子 / 格子歪み / スピン偏極 / フォトカソード / / / /  
(英) superlattice / lattice-mismatch / spin-polarization / photocathode / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 35, CPM2008-24, pp. 75-80, 2008年5月.
資料番号 CPM2008-24 
発行日 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2008-05-15 - 2008-05-16 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2008-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of strain relaxation process on polarization in strained superlattice spin-polarized photocathode 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 超格子 / superlattice  
キーワード(2)(和/英) 格子歪み / lattice-mismatch  
キーワード(3)(和/英) スピン偏極 / spin-polarization  
キーワード(4)(和/英) フォトカソード / photocathode  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前多 悠也 / Yuya Maeda /
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 金 秀光 / Jin Xiuguang /
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷奥 雅俊 / Masatoshi Tanioku /
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 渕 真悟 / Shingo Fuchi /
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇治原 徹 / Toru Ujihara /
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹田 美和 / Yoshikazu Takeda /
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 尚人 / Naoto Yamamoto /
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 真野 篤志 / Atsushi Mano /
第8著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 靖英 / Yasuhide Nakagawa /
第9著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 将博 / Masahiro Yamamoto /
第10著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥見 正治 / Shoji Okumi /
第11著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 中西 彊 / Nakanishi Tsutomu /
第12著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂 貴 / Takashi Saka /
第13著者 所属(和/英) 大同工業大学 (略称: 大同工大)
Daido institute of Technology (略称: Daido institute of Technology)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀中 博道 / Horinaka Hiromiti /
第14著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Prefecture Univ.)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 俊宏 / Toshihiro Kato /
第15著者 所属(和/英) 大同特殊鋼株式会社 (略称: 大同特殊鋼)
Daido Steel Co. Ltd (略称: Daido Steel Co. Ltd)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-05-16 13:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2008-16, CPM2008-24, SDM2008-36 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) 
ページ範囲 pp.75-80 
ページ数
発行日 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) 


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