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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-17 15:05
ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジSDM2008-136 ICD2008-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-136 ICD2008-46
抄録 (和) SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実現した。90nm ロジックプロセスにより、SESO メモリとして初めてアレイの試作・評価を行い、ソフトエラーのシミュレーションも行った。その結果、0.1FIT/Mb のソフトエラー、100MHz のランダムサイクル、100ms のリテンション特性を確認した。また、書き込みを高速化するキャッシュ方式やSESO トランジスタを用いた論理回路用ダイナミックラッチ回路の検討も行った。 
(英) We proposed a fully logic compatible process for a single electron shut-off transistor (SESO). A 1-kb memory-cell array composed of SESO cells was fabricated with the 90-nm logic process for the first time. It features a 0.1-FIT/Mb soft error, 100-MHz random cycle, and 100-ms retention. In addition to a logic-compatible cell structure and a write-data caching scheme, a backup latch circuit with SESO transistors for logic application was also fabricated.
キーワード (和) 混載メモリ / 3トランジスタセル / TFT / 低リーク電流 / / / /  
(英) Embedded memory / 3TR Cell / TFT / Low leakage current / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 140, ICD2008-46, pp. 47-52, 2008年7月.
資料番号 ICD2008-46 
発行日 2008-07-10 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-136 ICD2008-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-136 ICD2008-46

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2008-07-17 - 2008-07-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2008-07-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Fully Logic-Process-Compatible, SESO-memory Cell with 0.1-FIT/Mb Soft Error, 100-MHz Random Cycle, and 100-ms Retention 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 混載メモリ / Embedded memory  
キーワード(2)(和/英) 3トランジスタセル / 3TR Cell  
キーワード(3)(和/英) TFT / TFT  
キーワード(4)(和/英) 低リーク電流 / Low leakage current  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀代 典史 / Norifumi Kameshiro / カメシロ ノリフミ
第1著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Lav. Hitachi, LTd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 隆夫 / Takao Watanabe / ワタナベ タカオ
第2著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Lav. Hitachi, LTd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 智之 / Tomoyuki Ishii / イシイ トモユキ
第3著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Lav. Hitachi, LTd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 峰 利之 / Toshiyuki Mine / ミネ トシユキ
第4著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Lav. Hitachi, LTd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 聡明 / Toshiaki Sano / サノ トシアキ
第5著者 所属(和/英) (株)ルネサス北日本セミコンダクタ (略称: ルネサス北日本セミコンダクタ)
Renesas Northern Japan Semiconductor, Inc. (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊部 英史 / Hidefumi Ibe / イベ ヒデフミ
第6著者 所属(和/英) (株)日立製作所 生産技術研究所 (略称: 日立)
Production EEngineering Research Lab. Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋山 悟 / Satoru Akiyama / アキヤマ サトル
第7著者 所属(和/英) (株)日立製作所 生産技術研究所 (略称: 日立)
Production EEngineering Research Lab. Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi, Ltd.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳沢 一正 / Kazumasa Yanagisawa / ヤナギサワ カズマサ
第8著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 一法師 隆志 / Takashi Ipposhi / イッポウシ タカシ
第9著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ
第10著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 保彦 / Yasuhiko Takahashi / タカハシ ヤスヒコ
第11著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-17 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2008-136, ICD2008-46 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.139(SDM), no.140(ICD) 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数
発行日 2008-07-10 (SDM, ICD) 


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