| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2008-07-17 10:30
プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡 進(ルネサステクノロジ)・山上由展・石倉 聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範(松下電器)・篠原尋文(ルネサステクノロジ) SDM2008-131 ICD2008-41 |
| 抄録 |
(和) |
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシスト回路と階層化ライトアシスト回路を開発した。45nmLSTPテクノロジでセルサイズ0.245 mm2と0.327 mm2の二種類についてこの技術を搭載したSRAM512Kbを試作し、SNMが120mV、Writeマージンが15%改善したことを確認した。 |
| (英) |
We develop 512 Kb SRAM module in 45 nm LSTP CMOS technology with the variation tolerant assist circuits against process and temperature. We introduce a passive resistance to the read assist circuit, and adopt the divided VDD line in the memory cell array to the write assist circuit. The SRAM cell areas with 0.245 μm2 and 0.327μm2 are fabricated. From the measurements, we show that, by using our circuitry, the SNM exceeds 120 mV and the write margin is improved by 15% in the worst PVT condition. |
| キーワード |
(和) |
SRAM / アシスト回路 / 45nm CMOS / ばらつき / / / / |
| (英) |
SRAM / Assist circuit / 45nm CMOS / Variability / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 140, ICD2008-41, pp. 17-22, 2008年7月. |
| 資料番号 |
ICD2008-41 |
| 発行日 |
2008-07-10 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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