| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-17 09:00 (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 ○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）  SDM2008-128 ICD2008-38 |
|
| 抄録 | （和） | (110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしながら、(110) 面上のSi 基板と酸化膜との界面準位密度は(100) 面よりも多いことが知られている。また界面準位密度が高いのみではなく、そのPb センターと呼ばれる欠陥の状態が大きく異なる。Pb センターには、Pb0 とPb1 と呼ばれる二つの状態が存在することが知られているが、(100) 面はそのPb0 とPb1 の両者を有するのに対して、(110) はPb0 しか存在しない。この欠陥状態の相違が、NBTI 特性と1/f ノイズ特性に与える影響について本論分では議論を行う。結論としては、(110) は(100) と比較してNBTI 特性は優れるのに対し、ノイズは非常に多く増大する。これらの現象は、Pb0 とPb1 の物理的性質の違いから説明することが可能である。 |
| （英） | Using (110) substarate is one of promissing candidate for pMOSTET boost technology. (110) surface shows not only higher interface defect density between Si substrate and oxide but also different nature diffect condtion (Pb center) compared to (100) surface. Both Pb0 and Pb1 defect exist on (100), on the other hand, only Pb0 defect was obserbed on (110) surface. Based on this differenet nature of interface defect, NBTI on (110) is better than that on (100). On the other hand, 1/f noise on (110) much larger than that on (100). These phenomena can be explained with the physical characteristics difference between Pb0 and Pb1. |
|
| キーワード | （和） | 負バイアス温度不安定性 / 1/f ノイズ / （110）基板 / Pb センター / / / / |
| （英） | NBTI / 1/f noise / (110) substrate / Pb center / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 139, SDM2008-128, pp. 1-6, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-128 | |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-128 ICD2008-38 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2008-07-17 - 2008-07-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of the Different Nature of Interface Defect States on the NBTI and 1/f noise of High-k / Metal Gate pMOSFETs between (100) and (110) Crystal Orientations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 負バイアス温度不安定性 / NBTI |
| キーワード(2)（和/英） | 1/f ノイズ / 1/f noise |
| キーワード(3)（和/英） | （110）基板 / (110) substrate |
| キーワード(4)（和/英） | Pb センター / Pb center |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 基之 / Motoyuki Sato / サトウ モトユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (略称： Selete) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉田 義博 / Yoshihiro Sugita / スギタ ヨシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (略称： Selete) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青山 敬幸 / Takayuki Aoyama / アオヤマ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (略称： Selete) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈良 安雄 / Yasuo Nara / ナラ ヤスオ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (略称： Selete) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大路 譲 / Yuzuru Ohji / オオジ ユズル |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (略称： Selete) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-17 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-128, ICD2008-38 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.139(SDM), no.140(ICD) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]