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講演抄録/キーワード
講演名
2008-07-17 09:50
45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減
○
筒井 元
・
角田一晃
・
刈谷奈由太
・
秋山 豊
・
阿部倫久
・
丸山信也
・
深瀬 匡
・
鈴木三惠子
・
山縣保司
・
今井清隆
(
NECエレクトロニクス
)
SDM2008-130 ICD2008-40
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 108, no. 139, SDM2008-130, pp. 11-16, 2008年7月.
資料番号
SDM2008-130
発行日
2008-07-10 (SDM, ICD)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
SDM2008-130 ICD2008-40
研究会情報
研究会
ICD SDM
開催期間
2008-07-17 - 2008-07-18
開催地(和)
機械振興会館
開催地(英)
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和)
低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2008-07-ICD-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Reduction of Vth Variation Utilizing HfSiOx for 45nm SRAM
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
筒井 元
/
Gen Tsutsui
/
ツツイ ゲン
第1著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
角田 一晃
/
Kazuaki Tsunoda
/
ツノダ カズアキ
第2著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
刈谷 奈由太
/
Nayuta Kariya
/
カリヤ ナユタ
第3著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
秋山 豊
/
Yutaka Akiyama
/
アキヤマ ユタカ
第4著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
阿部 倫久
/
Tomohisa Abe
/
アベ トモヒサ
第5著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
丸山 信也
/
Shinya Maruyama
/
マルヤマ シンヤ
第6著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
深瀬 匡
/
Tadashi Fukase
/
フカセ タダシ
第7著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
鈴木 三惠子
/
Mieko Suzuki
/
スズキ ミエコ
第8著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
山縣 保司
/
Yasushi Yamagata
/
ヤマガタ ヤスシ
第9著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
今井 清隆
/
Kiyotaka Imai
/
イマイ キヨタカ
第10著者 所属(和/英)
NECエレクトロニクス株式会社
(略称:
NECエレクトロニクス
)
NEC Electronics Corporation
(略称:
NECEL
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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第21著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第21著者 所属(和/英)
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第22著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第22著者 所属(和/英)
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第23著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 所属(和/英)
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第25著者 所属(和/英)
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第26著者 所属(和/英)
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第27著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 所属(和/英)
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第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第28著者 所属(和/英)
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第29著者 所属(和/英)
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第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第31著者 所属(和/英)
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第32著者 所属(和/英)
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 所属(和/英)
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 所属(和/英)
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第35著者 所属(和/英)
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第36著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2008-07-17 09:50:00
発表時間
25分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2008-130, ICD2008-40
巻番号(vol)
vol.108
号番号(no)
no.139(SDM), no.140(ICD)
ページ範囲
pp.11-16
ページ数
6
発行日
2008-07-10 (SDM, ICD)
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