講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-17 09:25
High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ~ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ~ ○小林茂樹・齋藤真澄・内田 建(東芝) SDM2008-129 ICD2008-39 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-129 ICD2008-39 |
抄録 |
(和) |
Random Telegraph Noise (RTN)は、現行、又はより微細化された将来のLSIにおいて、MOSFETの動作を不安定化するものとして懸念されている。しかしながら、High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETにおけるRTNは、まだ明らかにされていない。本研究では、High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETにおけるRTNを、SiO2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおけるRTNと比較して、実験的に調べた。High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETでは、表面キャリア密度によるRTNの大きさの減少率が、SiO2ゲート絶縁膜の場合に比べ、小さいことが分かった。また、High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETにおいては、時定数のより大きな捕獲・放出過程が、より顕著にドレイン電流を変動することが分かった。特異なRTNは、High-kゲート絶縁膜の高い誘電率や低い障壁高さにより引き起こされていると考えられる。 |
(英) |
Random telegraph noise (RTN) in scaled MOSFETs is one of the biggest concerns in the present and future LSIs. However, RTN in high-k gate dielectric MOSFET have not been fully studied yet. In this paper, we have studied RTN in high-k MOSFETs in comparison with that in SiO2 p-MOSFETs. It is found for the first time that the reduction of RTN amplitude (DId/Id) by the surface holes is smaller in high-k p-MOSFETs, comparing to the SiO2 p-MOSFETs. It is also found that slower traps in the high-k gate dielectric more severely degrade Id. It is considered that some key characteristics are understandable in terms of the higher dielectric constant and the smaller barrier height of the high-k gate dielectric. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / RTN / High-k / / / / / |
(英) |
MOSFET / RTN / High-k / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 139, SDM2008-129, pp. 7-10, 2008年7月. |
資料番号 |
SDM2008-129 |
発行日 |
2008-07-10 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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