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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-17 09:25 High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ～ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ～ ○小林茂樹・齋藤真澄・内田 建（東芝）  SDM2008-129 ICD2008-39 |
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| 抄録 | （和） | Random Telegraph Noise (RTN)は、現行、又はより微細化された将来のLSIにおいて、MOSFETの動作を不安定化するものとして懸念されている。しかしながら、High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETにおけるRTNは、まだ明らかにされていない。本研究では、High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETにおけるRTNを、SiO2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおけるRTNと比較して、実験的に調べた。High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETでは、表面キャリア密度によるRTNの大きさの減少率が、SiO2ゲート絶縁膜の場合に比べ、小さいことが分かった。また、High-kゲート絶縁膜を有するMOSFETにおいては、時定数のより大きな捕獲・放出過程が、より顕著にドレイン電流を変動することが分かった。特異なRTNは、High-kゲート絶縁膜の高い誘電率や低い障壁高さにより引き起こされていると考えられる。 |
| （英） | Random telegraph noise (RTN) in scaled MOSFETs is one of the biggest concerns in the present and future LSIs. However, RTN in high-k gate dielectric MOSFET have not been fully studied yet. In this paper, we have studied RTN in high-k MOSFETs in comparison with that in SiO2 p-MOSFETs. It is found for the first time that the reduction of RTN amplitude (DId/Id) by the surface holes is smaller in high-k p-MOSFETs, comparing to the SiO2 p-MOSFETs. It is also found that slower traps in the high-k gate dielectric more severely degrade Id. It is considered that some key characteristics are understandable in terms of the higher dielectric constant and the smaller barrier height of the high-k gate dielectric. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / RTN / High-k / / / / / |
| （英） | MOSFET / RTN / High-k / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 139, SDM2008-129, pp. 7-10, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-129 | |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-129 ICD2008-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2008-07-17 - 2008-07-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 |
| サブタイトル（和） | ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 |
| タイトル（英） | Drain Current Fluctuation in High-k Dielectric p-MOSFETs |
| サブタイトル（英） | Effects of Single-Hole Capture/Emission by the Traps in High-k Dielectric |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | RTN / RTN |
| キーワード(3)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 茂樹 / Shigeki Kobayashi / コバヤシ シゲキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation (略称： Corporate RDC, Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation (略称： Corporate RDC, Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 建 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation (略称： Corporate RDC, Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-17 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-129, ICD2008-39 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.139(SDM), no.140(ICD) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) |
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