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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-18 15:05
極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響
後藤正和辰村光介川中 繁中嶋一明市原玲華吉水康人小野田裕之長友浩二佐々木俊行福島 崇野町映子犬宮誠治青山知憲小山正人豊島義明東芝SDM2008-147 ICD2008-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-147 ICD2008-57
抄録 (和) ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性への影響を詳細に調査した。その結果、TaCx中のTa組成プロファイル最適化により実現される適度なメタルゲート(Metal Gate)/高誘電率ゲート絶縁膜(High-k)界面反応が、High-k中の固定電荷抑制に効果的であり、デバイス特性の向上をもたらすことを明らかとした。さらに、High-k中の固定電荷抑制が、歪み印加効果の促進をもたらすことも明らかとした。絶縁膜中の固定電荷を排除したTaCx/HfSiONデバイスと、従来の歪み印加技術のStress Memorization Technique (SMT)、Stress Liner (SL)とを組み合わせることで、高性能な極微細Metal Gate/High-kデバイスの作製に成功した。 
(英) We report TaCx/HfSiON gate stack CMOS device with simplified gate 1st process from the viewpoints of fixed charge generation and its impact on the device performance. Moderate Metal Gate / High-K dielectric (MG/HK) interface reaction is found to be a dominant factor to improve device performance. By optimizing TaCx composition, fixed charge free TaCx/HfSiON device is successfully fabricated. Also, we have demonstrated that the strain effect in deeply scaled devices can be enhanced by eliminating the fixed charges in HfSiON, for the first time. Utilizing Stress Memorization Technique (SMT) and Stress Liner (SL), Lg=35nm high performance TaCx/HfSiON devices is achieved.
キーワード (和) メタルゲート / 高誘電率ゲート絶縁膜 / TaC / HfSiON / MOSFET / SMT / ストレスライナー /  
(英) Metal Gate / High-k / TaC / HfSiON / MOSFET / SMT / Stress Liner /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 139, SDM2008-147, pp. 109-114, 2008年7月.
資料番号 SDM2008-147 
発行日 2008-07-10 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-147 ICD2008-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-147 ICD2008-57

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2008-07-17 - 2008-07-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-07-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Impact of Tantalum Composition in TaCx/HfSiON Gate Stack on Device Performance of Aggressively Scaled CMOS Devices with SMT and Strained CESL 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) メタルゲート / Metal Gate  
キーワード(2)(和/英) 高誘電率ゲート絶縁膜 / High-k  
キーワード(3)(和/英) TaC / TaC  
キーワード(4)(和/英) HfSiON / HfSiON  
キーワード(5)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(6)(和/英) SMT / SMT  
キーワード(7)(和/英) ストレスライナー / Stress Liner  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 正和 / Masakazu Goto / ゴトウ マサカズ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コウスケ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中嶋 一明 / Kazuaki Nakajima / ナカジマ カズアキ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 市原 玲華 / Reika Ichihara / イチハラ レイカ
第5著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉水 康人 / Yasuhito Yoshimizu / ヨシミズ ヤスヒト
第6著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野田 裕之 / Hiroyuki Onoda / オノダ ヒロユキ
第7著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 長友 浩二 / Koji Nagatomo / ナガトモ コウジ
第8著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 俊行 / Toshiyuki Sasaki / ササキ トシユキ
第9著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 福島 崇 / Takashi Fukushima / フクシマ タカシ
第10著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 野町 映子 / Akiko Nomachi / ノマチ アキコ
第11著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 犬宮 誠治 / Seiji Inumiya / イヌミヤ セイジ
第12著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 青山 知憲 / Tomonori Aoyama / アオヤマ トモノリ
第13著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 正人 / Masato Koyama / コヤマ マサト
第14著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima / トヨシマ ヨシアキ
第15著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-18 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-147, ICD2008-57 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.139(SDM), no.140(ICD) 
ページ範囲 pp.109-114 
ページ数
発行日 2008-07-10 (SDM, ICD) 


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