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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-30 13:00 反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜の作製と評価 ○山口拓也・坪井 望（新潟大）・大石耕一郎（長岡高専）・小林敏志・金子双男（新潟大）  CPM2008-75 |
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| 抄録 | （和） | Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し，反応性ガスCS2雰囲気中で各金属ターゲットを交互スパッタすることにより，[Cu]/[In]比の異なる薄膜を作製した．薄膜の組成は，高CS2ガス分圧では(Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(CuIn5S8)-(In2S3)擬固溶体系に，低CS2ガス分圧では(Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(InS,In5S4)擬固溶体系に対応して変化した．CuInS2の化学量論組成に対応した薄膜はｐ形で，CuInS2以外のX線回折ピークは観測されず，その基礎吸収端はCuInS2の禁制帯幅に対応していた． |
| （英） | CuInS2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited on soda lime glass substrates at 450 C by sputtering alternatively Cu and In targets under Ar-diluted CS2 (CS2: 2-5 mTorr) atmosphere. Composition of the films deposited under high and low CS2 pressures corresponded to the (Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(CuIn5S8)-(In2S3) system line and the (Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(InS,In5S4) system line, respectively. The smooth surface films with the stoichiometric composition of CuInS2 exhibited the CuInS2 XRD lines only, and had the absorption edge corresponding to the energy gap of CuInS2 and p-type conductivity. | |
| キーワード | （和） | 薄膜太陽電池材料 / CuInS2 / 反応性スパッタ / 化合物半導体 / 薄膜 / / / |
| （英） | Thin Film Solar Cell Material / CuInS2 / Reactive Sputtering / Compound Semiconductor / Thin Film / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 269, CPM2008-75, pp. 1-6, 2008年10月. | |
| 資料番号 | CPM2008-75 | |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2008-75 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2008-10-30 - 2008-10-31 |
| 開催地（和） | 新潟大学 |
| 開催地（英） | Niigata Univ. |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Characterization of CuInS2 Films by Reactive Sputtering Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜太陽電池材料 / Thin Film Solar Cell Material |
| キーワード(2)（和/英） | CuInS2 / CuInS2 |
| キーワード(3)（和/英） | 反応性スパッタ / Reactive Sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 化合物半導体 / Compound Semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / Thin Film |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 拓也 / Takuya Yamaguchi / ヤマグチ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坪井 望 / Nozomu Tsuboi / ツボイ ノゾム |
| 第2著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大石 耕一郎 / Koichiro Oishi / オオイシ コウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡高等専門学校 (略称： 長岡高専) Nagaoka National College of Technology (略称： Nagaoka Nat. Coll. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 敏志 / Satoshi Kobayashi / コバヤシ サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 双男 / Futao Kaneko / カネコ フタオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-30 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2008-75 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.269 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) |
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