講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-10-30 13:00
反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜の作製と評価 ○山口拓也・坪井 望(新潟大)・大石耕一郎(長岡高専)・小林敏志・金子双男(新潟大) CPM2008-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-75 |
抄録 |
(和) |
Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し,反応性ガスCS2雰囲気中で各金属ターゲットを交互スパッタすることにより,[Cu]/[In]比の異なる薄膜を作製した.薄膜の組成は,高CS2ガス分圧では(Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(CuIn5S8)-(In2S3)擬固溶体系に,低CS2ガス分圧では(Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(InS,In5S4)擬固溶体系に対応して変化した.CuInS2の化学量論組成に対応した薄膜はp形で,CuInS2以外のX線回折ピークは観測されず,その基礎吸収端はCuInS2の禁制帯幅に対応していた. |
(英) |
CuInS2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited on soda lime glass substrates at 450 C by sputtering alternatively Cu and In targets under Ar-diluted CS2 (CS2: 2-5 mTorr) atmosphere. Composition of the films deposited under high and low CS2 pressures corresponded to the (Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(CuIn5S8)-(In2S3) system line and the (Cu2S,Cu1.96S)-(CuInS2)-(InS,In5S4) system line, respectively. The smooth surface films with the stoichiometric composition of CuInS2 exhibited the CuInS2 XRD lines only, and had the absorption edge corresponding to the energy gap of CuInS2 and p-type conductivity. |
キーワード |
(和) |
薄膜太陽電池材料 / CuInS2 / 反応性スパッタ / 化合物半導体 / 薄膜 / / / |
(英) |
Thin Film Solar Cell Material / CuInS2 / Reactive Sputtering / Compound Semiconductor / Thin Film / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 269, CPM2008-75, pp. 1-6, 2008年10月. |
資料番号 |
CPM2008-75 |
発行日 |
2008-10-23 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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