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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 13:30 p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック）  ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
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| 抄録 | （和） | p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN capのMg活性化のためのアニール温度を調べたところ、800℃アニールでは比較的良好なFET特性を示した。作製したp-InGaN cap(800℃) HEMTsの閾値電圧は1.1Vであり、十分なノーマリオフ特性が実現できた。この値はInGaN capなしHEMTsの-1.1V、i-InGaN cap HEMTsの-0.2Vに比べて、それぞれ2.2V、1.3Vのシフト量である。p-InGaN cap(800℃) HEMTsのgmmaxはInGaN capなしHEMTsのgmmax 128mS/mmよりも大きな値146mS/mmを示した。 |
| （英） | We have fabricated AlGaN/GaN HEMTs with a thin p-InGaN cap layer and measured I-V characteristics of the devices. For the activation of Mg in p-InGaN cap layer, annealing at 800℃ was relatively good. Compared to AlGaN/GaN HEMTs without InGaN cap layer and i-InGaN cap HEMTs, the threshold voltage of p-InGaN cap (800℃) HEMTs shifted about 2.2 V, 1.3 V respectively and was 1.1 V. The complete normally-off operation of AlGaN/GaN HEMTs has been realized. For p-InGaN cap (800℃) HEMTs, a higher gmmax of 146 mS/mm than that of HEMTs without InGaN cap of 128 mS/mm was obtained. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HEMT / p-InGaN cap / 活性化アニール / ノーマリオフ / ゲートリーク電流 / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMT / p-InGaN cap / activation annealing / normally-off / gate leakage current / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-177, pp. 125-130, 2008年11月. | |
| 資料番号 | ED2008-177 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Normally-off mode AlGaN/GaN HEMTs with p-InGaN Cap Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | p-InGaN cap / p-InGaN cap |
| キーワード(3)（和/英） | 活性化アニール / activation annealing |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 旭 / Xu Li / リ キョク |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒内 正仁 / Masahito Kurouchi / クロウチ マサヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 文彦 / Fumihiko Nakamura / ナカムラ フミヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | パウデック（株） (略称： パウデック) POWDEC K.K. (略称： POWDEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-177, CPM2008-126, LQE2008-121 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.125-130 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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