講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-28 13:30
p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝(名大)・中村文彦(パウデック) ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
抄録 |
(和) |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN capのMg活性化のためのアニール温度を調べたところ、800℃アニールでは比較的良好なFET特性を示した。作製したp-InGaN cap(800℃) HEMTsの閾値電圧は1.1Vであり、十分なノーマリオフ特性が実現できた。この値はInGaN capなしHEMTsの-1.1V、i-InGaN cap HEMTsの-0.2Vに比べて、それぞれ2.2V、1.3Vのシフト量である。p-InGaN cap(800℃) HEMTsのgmmaxはInGaN capなしHEMTsのgmmax 128mS/mmよりも大きな値146mS/mmを示した。 |
(英) |
We have fabricated AlGaN/GaN HEMTs with a thin p-InGaN cap layer and measured I-V characteristics of the devices. For the activation of Mg in p-InGaN cap layer, annealing at 800℃ was relatively good. Compared to AlGaN/GaN HEMTs without InGaN cap layer and i-InGaN cap HEMTs, the threshold voltage of p-InGaN cap (800℃) HEMTs shifted about 2.2 V, 1.3 V respectively and was 1.1 V. The complete normally-off operation of AlGaN/GaN HEMTs has been realized. For p-InGaN cap (800℃) HEMTs, a higher gmmax of 146 mS/mm than that of HEMTs without InGaN cap of 128 mS/mm was obtained. |
キーワード |
(和) |
AlGaN/GaN HEMT / p-InGaN cap / 活性化アニール / ノーマリオフ / ゲートリーク電流 / / / |
(英) |
AlGaN/GaN HEMT / p-InGaN cap / activation annealing / normally-off / gate leakage current / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-177, pp. 125-130, 2008年11月. |
資料番号 |
ED2008-177 |
発行日 |
2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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