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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 16:10 Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京）  ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
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| 抄録 | （和） | 100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ(HEMT)型水素ガスセンサの検討を行った。水素ガス濃度を変化させて評価した結果，1ppmの水素ガス濃度の検知に成功した。そのときの電流変化量は1.6mAであった。得られた結果から，空気中に微量に存在する水素濃度である0.5ppmも検知できることを示した。水素濃度100ppmの水素を導入・停止したときの応答特性から立ち上がり，回復時間を見積もった。その結果，立ち上がり，回復時間はそれぞれ，23秒，33秒であり，高速に水素ガスを検知できていることがわかった。 |
| （英） | The hydrogen sensing properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Pd gate electrodes are demonstrated for ppm-order detection. We found that the 1 ppm hydrogen in air can be detected by the fabricated devices as a current variation of 1.6 mA. By using the least-square fit to the experimental data, the reliable lower detection value of hydrogen concentration for the present device can be estimated to be about 0.5 ppm, i.e., a natural hydrogen concentration in the air. In addition, the shorter turn-on and turn-off transient times have been estimated to be about 23 and 33 seconds at 110oC, respectively, in the case of the 100 ppm hydrogen. | |
| キーワード | （和） | 水素ガスセンサ / AlGaN/GaN / 高電子移動度トランジスタ / 触媒作用 / ppm / パラジウム / / |
| （英） | hydrogen gas sensor / AlGaN/GaN / high electron mobility transistor / catalytic action / part par million / palladium / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-183, pp. 155-159, 2008年11月. | |
| 資料番号 | ED2008-183 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detection mechanisms of Pd/AlGaN/GaN HEMT-based hydrogen gas sensors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素ガスセンサ / hydrogen gas sensor |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / high electron mobility transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 触媒作用 / catalytic action |
| キーワード(5)（和/英） | ppm / part par million |
| キーワード(6)（和/英） | パラジウム / palladium |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 紀行 / Noriyuki Takahashi / タカハシ ノリユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 成志 / Seiji Nakamura / ナカムラ セイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥村 次徳 / Tsugunori Okumura / オクムラ ツグノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-183, CPM2008-132, LQE2008-127 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.155-159 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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