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| 講演名 | 2009-05-14 15:50 A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）  ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 |
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| 抄録 | （和） | Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto F-doped SnO2-coated glass by electrochemical deposition from an aqueous bath. The films were deposited at three different ratios of gallium to indium in the precursor bath; namely [Ga/In]=2/8, 5/5 and 8/2. The impact of the gallium content on the composition, optical transmission, structure, photosensitivity and morphology of the deposited films was investigated. The films deposited at [Ga/In]= 5/5 and 8/2 had energy gap as high as 3.5 eV. The X-ray diffraction spectrum of the film deposited at [Ga/In]=2/8 contained weak peaks of indium metal, but the In peaks were absent in the spectra of the films deposited at [Ga/In]=5/5 and 8/2. The photosensitivity of the film was observed by means of photoelectrochemical measurements, which confirmed that all the films showed n-type conduction. |
| （英） | Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto F-doped SnO2-coated glass by electrochemical deposition from an aqueous bath. The films were deposited at three different ratios of gallium to indium in the precursor bath; namely [Ga/In]=2/8, 5/5 and 8/2. The impact of the gallium content on the composition, optical transmission, structure, photosensitivity and morphology of the deposited films was investigated. The films deposited at [Ga/In]= 5/5 and 8/2 had energy gap as high as 3.5 eV. The X-ray diffraction spectrum of the film deposited at [Ga/In]=2/8 contained weak peaks of indium metal, but the In peaks were absent in the spectra of the films deposited at [Ga/In]=5/5 and 8/2. The photosensitivity of the film was observed by means of photoelectrochemical measurements, which confirmed that all the films showed n-type conduction. | |
| キーワード | （和） | 硫化ガリウムインジウム / 薄膜 / 電気化学堆積 / 太陽電池 / バッファー層 / / / |
| （英） | gallium indium sulfide / thin films / electrochemical deposition / solar cell / buffer layer / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 24, CPM2009-13, pp. 25-30, 2009年5月. | |
| 資料番号 | CPM2009-13 | |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2009-05-14 - 2009-05-15 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大サテライトオフィス |
| 開催地（英） | Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2009-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 硫化ガリウムインジウム / gallium indium sulfide |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / thin films |
| キーワード(3)（和/英） | 電気化学堆積 / electrochemical deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| キーワード(5)（和/英） | バッファー層 / buffer layer |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Asraf M. Abdel Haleem / Asraf M. Abdel Haleem / |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-14 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2009-23, CPM2009-13, SDM2009-13 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
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