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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-05-15 10:30 MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 ○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野 泰（静岡大）  ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなかったが、高いPH3流量を持った830℃で鏡面が得られた。またクロスハッチパターン(CHP)は830℃での膜厚200nmの成長によって得られた。CHPはGaP層の質が高いことを示す。断面TEMにより5nmと40nm厚さのGaP層に積層欠陥と転位が存在しないことを明らかにした。 |
| （英） | GaP was grown on misoriented Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). At 700 and 800℃,no mirror suface was obtained. A mirror suface was achieved at 830℃ with a high PH3 flow rate. A cross-hatched pattern (CHP) was observed for a 200-nm-thick GaP layer grown at 830℃. The CHP indicates that the quality of the GaP layer was high. Cross-sectional transmission electron microscopy reveals that few stacking faults and dislocations exist in 5-and 40-nm-thick GaP layers on Si substrates. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / ガリウムリン / クロスハッチパターン / 透過型電子顕微鏡 / / / / |
| （英） | MOVPE / GaP / CHP / TEM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 24, CPM2009-19, pp. 59-64, 2009年5月. | |
| 資料番号 | CPM2009-19 | |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2009-05-14 - 2009-05-15 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大サテライトオフィス |
| 開催地（英） | Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2009-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaP on Si Substrates at High Temperature by MOVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | ガリウムリン / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | クロスハッチパターン / CHP |
| キーワード(4)（和/英） | 透過型電子顕微鏡 / TEM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 達也 / Tatsuya Takagi / タカギ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 拓也 / Takuya Okamoto / オカモト タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福家 俊郎 / Shunro Fuke / フケ シュンロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-15 10:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2009-29, CPM2009-19, SDM2009-19 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
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