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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-08-10 15:30 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製 鈴木真一郎・仙石 昌・辻 拓真・逸見充則・村田裕亮・山上朋彦・林部林平・○上村喜一（信州大）  CPM2009-35 |
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| 抄録 | （和） | MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜／SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ$10^{12}$cm$^{-2}$eV$^{-1}$であった。この値は、酸化と熱処理により作製したSiO$_2$/SiC MIS構造で報告されている値に近い。窒化膜上に酸化膜を重ねて堆積したMIS構造についてTerman法で界面準位密度を評価し、比較した結果、ほぼ同程度の値となった。高温で窒化した試料ほど低い界面準位密度が得られた |
| （英） | Interface state density was estimated from diode factor $n$ of SiC MIS Schottky diode. The interface state density was the order of $10^{12}$cm$^{-2}$eV$^{-1}$, and was same order to the value for the sample carefully prepared by oxidation and post oxidation annealing. The interface state density determined from $n$ was consistent to the value calculated from the capacitance voltage curve of SiO$_2$/nitride/SiC MIS diode by Terman method. High temperature nitridation was effective to reduce the interface state density. | |
| キーワード | （和） | SiC / 窒化, / 界面 / MISショットキー / / / / |
| （英） | SiC / Nitride / Interface / MIS Schottky / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-35, pp. 9-12, 2009年8月. | |
| 資料番号 | CPM2009-35 | |
| 発行日 | 2009-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2009-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2009-08-10 - 2009-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 |
| 開催地（英） | Hirosaki Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2009-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of SiC MIS structure using direct nitridation layer as an interfacial layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化, / Nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 界面 / Interface |
| キーワード(4)（和/英） | MISショットキー / MIS Schottky |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 真一郎 / Shinichiro Suzuki / スズキ シンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仙石 昌 / Akira Sengoku / センゴク アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 拓真 / Takuma Tsuji / ツジ タクマ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 逸見 充則 / Mitsunori Henmi / ヘンミ ミツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 裕亮 / Yusuke Murata / ムラタ ユウスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林部 林平 / Rinpei Hayashibe / ハヤシベ リンペイ |
| 第7著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第8著者 |
| 発表日時 | 2009-08-10 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2009-35 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.171 |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-08-03 (CPM) |
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