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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-29 13:55 ガスフロースパッタ法によるFe3O4のGaAs上へのエピタキシャル成長 ○佐久間洋志・設樂裕紀・鍵 康人・鈴木 涼・石井 清（宇都宮大）  CPM2010-31 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物の半導体基板上へのエピタキシャル成長は一般に困難を伴う．マグネタイト（Fe3O4）はハーフメタルの一種として知られており，半導体（特にGaAs）基板上へのエピタキシャル成長はスピントロニクスへの応用において重要である．これまで，Fe3O4/GaAsエピタキシャル薄膜はFe/GaAsエピタキシャル薄膜の酸化により作製されてきたが，我々はGaAsの大気中熱処理と独自のガスフロースパッタ法を用いることにより，GaAs上へ直接Fe3O4をエピタキシャル成長させることに成功した．本論文では，この方法におけるFe3O4堆積時の酸素流量の最適化について報告する． |
| （英） | The epitaxial growth of oxides on semiconductors is generally associated with difficulty. Magnetite (Fe3O4) is a half metal, and its epitaxial growth on semiconductors (especially on GaAs) is important for spintronics applications. While the Fe3O4/GaAs epitaxial films are conventionally fabricated by the oxidation of Fe/GaAs epitaxial films, we successfully deposited Fe3O4 epitaxial layers directly on GaAs substrates by annealing GaAs substrates in air and using gas flow sputtering. In this paper, we report on the optimization of oxygen flow rate in the deposition of Fe3O4 epitaxial layers. | |
| キーワード | （和） | ガスフロースパッタ法 / エピタキシャル成長 / マグネタイト / GaAs / / / / |
| （英） | Gas Flow Sputtering / Epitaxial Growth / Magnetite / GaAs / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 154, CPM2010-31, pp. 1-4, 2010年7月. | |
| 資料番号 | CPM2010-31 | |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-07-29 - 2010-07-30 |
| 開催地（和） | 道の駅しゃり 会議室 |
| 開催地（英） | Michino-Eki Shari Meeting Room |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-07-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ガスフロースパッタ法によるFe3O4のGaAs上へのエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Fe3O4/GaAs Epitaxial Thin Films by Gas Flow Sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ガスフロースパッタ法 / Gas Flow Sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(3)（和/英） | マグネタイト / Magnetite |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐久間 洋志 / Hiroshi Sakuma / サクマ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 設樂 裕紀 / Yuki Shidara / シダラ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鍵 康人 / Yasuhito Kagi / カギ ヤスヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 涼 / Ryo Suzuki / スズキ リョウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 清 / Kiyoshi Ishii / イシイ キヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-29 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-31 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.154 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) |
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