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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-29 14:55 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長 田原将巳・三浦仁嗣・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治（長岡技科大）  CPM2010-33 |
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| 抄録 | （和） | ジルコニアに担持した白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法を開発した。この高エネルギーH2O分子とアルキル亜鉛ガスとの反応により生成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、サファイア基板上にZnO結晶膜を成長させた。A面サファイア基板上に成長させたZnO膜についてHall効果測定を行ったところ室温でのHall移動度168 cm2/Vs、残留キャリア密度1.6×1017 cm-3という従来のMOCVD法によるZnO結晶膜に比べはるかに良好な電気伝導特性を示した。またX線回折パターンでは(0002)および(0004)回折等、c軸配向を示す回折線のみがみられ(0002)回折のωロッキングカーブの半値幅は273 arcsecと小さく配向性も良好であった。サファイア基板をリファレンスにしたサンプルの透過率は、可視•近赤外領域で95%以上と非常に透明であった。 |
| （英） | We have developed a new CVD method for thin film growth of metal oxides using a reaction between organometallic compounds and high-energy H2O produced by a Pt-catalyzed H2O2 reaction. Using this CVD method, epitaxial growth of ZnO films on sapphire substrates was investigated. ZnO epitaxial films were grown directly on a-plane (11-20) sapphire substrates at substrate temperatures of 573-873 K without buffer layer. X-ray diffraction patterns exhibited intense (0002) and (0004) peaks from the ZnO(0001) index plane. The smallest full width at half maximum (FWHM) value of the ω-rocking curve of ZnO(0002) was less than 0.1deg (273 arcsec). The Hall mobility and residual carrier concentration of the epilayers were in the ranges 140-168 cm2V1s1 and 1.6-6×1017 cm3, respectively. Optical transparency of the ZnO samples grown on the sapphire substrates was more than 95% that of the sample without ZnO film. | |
| キーワード | （和） | ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / X線回折パターン / Hall移動度 / 光透過率 / / |
| （英） | ZnO / catalytic reaction / high-energy H2O / X-ray diffraction pattern / Hall mobility / optical transparency / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 154, CPM2010-33, pp. 11-15, 2010年7月. | |
| 資料番号 | CPM2010-33 | |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-07-29 - 2010-07-30 |
| 開催地（和） | 道の駅しゃり 会議室 |
| 開催地（英） | Michino-Eki Shari Meeting Room |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-07-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of ZnO films using hot water molecules generated by catalytic reaction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | 高エネルギーH2O / high-energy H2O |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折パターン / X-ray diffraction pattern |
| キーワード(5)（和/英） | Hall移動度 / Hall mobility |
| キーワード(6)（和/英） | 光透過率 / optical transparency |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田原 将巳 / Masami Tahara / タハラ マサミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagoka Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 仁嗣 / Hitoshi Miura / ミウラ ヒトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagoka Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 朋義 / Tomoyoshi Kuroda / クロダ トモヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagoka Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 洋 / Hiroshi Nishiyama / ニシヤマ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagoka Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagoka Univ. of Tech.) |
| 講演者 | 第5著者 |
| 発表日時 | 2010-07-29 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-33 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.154 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) |
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