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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-30 09:55 TDEAV原料を用いたVNx膜のALD成膜 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・須藤 弘・町田英明（気相成長）・伊藤 俊・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大）  CPM2010-37 |
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| 抄録 | （和） | Si-ULSIのCu多層配線において、さらなるバリヤ膜の極薄化と低抵抗化が望まれている。一方、我々は先の研究で反応性スパッタ法で成膜したVNx膜が優れたバリヤ特性を示すことを実証しているので、このVNx膜をテトラキスジエチルアミドバナジウム(TDEAV) を用いてALD法にて成膜が可能かどうかその条件を検討した。その結果、インキュベーションタイムも発生せず、かつ190℃という低温でALD成長することが明らかとされた。さらに得られたVNx膜は、他のALDバリヤよりも成膜温度が低く、かつ成膜レートが高いことがわかり、有用なバリヤ材料としての基本特性を示していることが明らかとなった。 |
| （英） | An extremely thin barrier deposited at a low temperature is desired in Cu interconnects of 32 nm node technologies. We propose the VNx barrier grown by atomic layer deposition using tetrakisdiethylamidovanadium (TDEAV) and NH3 as precursors, because we already demonsrated the usefulness of the VNx barrier deposited by reactive sputtering. In this study, we mainly examine the ALD growth condition of the VNx barrier. As a result, we can demonstrate that the VNx film is deposited at a low temperature of ~190 °C by ALD growth without the incubation time, and the growth rate is about 0.1nm/cycle. These results reveal that the ALD-VNx barrier in this study is one of the superior barriers examined so far. | |
| キーワード | （和） | Cu多層配線 / 極薄バリヤ / TDEAV / ALD成膜 / / / / |
| （英） | Cu interconnects / extremely thin barrier / TDEAV / atomic layer deposition / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 154, CPM2010-37, pp. 35-38, 2010年7月. | |
| 資料番号 | CPM2010-37 | |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-07-29 - 2010-07-30 |
| 開催地（和） | 道の駅しゃり 会議室 |
| 開催地（英） | Michino-Eki Shari Meeting Room |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-07-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TDEAV原料を用いたVNx膜のALD成膜 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic layer deposition (ALD) of vanadium nitride films using TDEAV |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu多層配線 / Cu interconnects |
| キーワード(2)（和/英） | 極薄バリヤ / extremely thin barrier |
| キーワード(3)（和/英） | TDEAV / TDEAV |
| キーワード(4)（和/英） | ALD成膜 / atomic layer deposition |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： kitami Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： kitami Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須藤 弘 / Hiroshi Sudoh / スドウ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 気相成長(株) (略称： 気相成長) Gas-phase Growth Ltd. (略称： Gas-phase Growth Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 町田 英明 / Hideaki Machida / マチダ ヒデアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 気相成長(株) (略称： 気相成長) Gas-phase Growth Ltd. (略称： Gas-phase Growth Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 俊 / Shun Ito / イトウ シュン |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青柳 英二 / Eiji Aoyagi / アオヤギ エイジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： kitami inst. of tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-30 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-37 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.154 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) |
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