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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-30 09:30 ラジカル反応を応用したZrNx膜の低温作製 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・早坂祐一郎・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大）  CPM2010-36 |
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| 抄録 | （和） | ３次元実装によるSi-ULSI の集積度の向上に必要なSi 貫通ビア配線に適用可能な低温での拡散バリヤの新たな成膜手法として，スパッタ法にラジカル反応を応用した新たな手法を提案してきた．本研究では，その手法を用いて基板加熱なしの200℃以下の低温プロセスで，ZrN$_x$ 膜を作製し，その特性を評価した．その結果ZrN$_x$膜は反応性スパッタ法により得たZrN$_x$ 膜に遜色ない良好な特性と有効なバリヤ特性が得られることが知られた． |
| （英） | Recently, an increase in the integration density of the Si-ULSI system is realized in the 3-D packaging technology. A through-silicon-via (TSV) is an important constituent technology to realize the 3D integration. This requires a deposition process of diffusion barriers at low temperatures if we choose a promising ‘via last process’. We have developed a new deposition method of preparing metal-nitrides at low temperatures, which consists of sputter-deposition of a metal film and subsequent nitride formation assisted by radical species generated by catalytic cracking of NH$_3$ molecules with a heated W-wire. In this study, we successfully prepared ZrN$_x$ films by the proposed method without substrate heating at a temperature as low as 200 °C or less. The characteristics of the obtained ZrN$_x$ film are good as comparable to those by reactive-sputtering. A high performance of prepared ZrN$_x$ diffusion barrier is also demonstrated. |
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| キーワード | （和） | Si-ULSI / Si 貫通ビア配線 / 拡散バリヤ / ZrN / ラジカル / / / |
| （英） | Si-ULSI / through-silicon-via / diffusion barriers / ZrN / radical species / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 154, CPM2010-36, pp. 29-34, 2010年7月. | |
| 資料番号 | CPM2010-36 | |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-07-29 - 2010-07-30 |
| 開催地（和） | 道の駅しゃり 会議室 |
| 開催地（英） | Michino-Eki Shari Meeting Room |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-07-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ラジカル反応を応用したZrNx膜の低温作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature of deposition of ZrNx film using radical reaction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si-ULSI / Si-ULSI |
| キーワード(2)（和/英） | Si 貫通ビア配線 / through-silicon-via |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barriers |
| キーワード(4)（和/英） | ZrN / ZrN |
| キーワード(5)（和/英） | ラジカル / radical species |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： kitami Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： kitami Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早坂 祐一郎 / Yuichiro Hayasaka / ハヤサカ ユウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青柳 英二 / Eiji Aoyagi / アオヤギ エイジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： kitami Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-30 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-36 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.154 |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-07-22 (CPM) |
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