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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-08-27 13:45 プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大）  SDM2010-145 ICD2010-60 |
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| 抄録 | （和） | 本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入することで、しきい値電圧が読み出し時と書き込み時に非対称なパスゲートトランジスタを実現する手法を提案する。これにより書き込み特性の劣化、プロセス工程の追加、セル面積の増加なしにスタティックノイズマージンが24%向上することがわかった。さらに本手法ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのみに電子を注入することでSRAMの読み出しの安定性を70%向上させることも可能である。自己修復は電子注入を多数のセルにおいて同時に行うことが可能である。 |
| （英） | A VTH mismatch self-repair scheme in 6T-SRAM with asymmetric PG transistor by post-process local electron injection is proposed. The asymmetric VTH shift is doubled from the conventional scheme without process and area penalty. Measurement results show 24% increase in SNM without write degradation by the asymmetric PG transistor. 70% read margin enhancement is achieved by the proposed scheme. | |
| キーワード | （和） | SRAM / VTHばらつき / 非対称トランジスタ / 読み出し安定性 / 自己修復 / ホットキャリア / プロセス工程後 / 局所的電子注入 |
| （英） | SRAM / VTH variation / asymmetric transistor / read margin / self-repair / hot carrier / post-process / local electron injection | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-60, pp. 115-120, 2010年8月. | |
| 資料番号 | ICD2010-60 | |
| 発行日 | 2010-08-19 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-145 ICD2010-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2010-08-26 - 2010-08-27 |
| 開催地（和） | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 70% Read Margin Enhancement by VTH Mismatch Self-Repair in 6T-SRAM with Asymmetric Pass Gate Transistor by Zero Additional Cost, Post-Process, Local Electron Injection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | VTHばらつき / VTH variation |
| キーワード(3)（和/英） | 非対称トランジスタ / asymmetric transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 読み出し安定性 / read margin |
| キーワード(5)（和/英） | 自己修復 / self-repair |
| キーワード(6)（和/英） | ホットキャリア / hot carrier |
| キーワード(7)（和/英） | プロセス工程後 / post-process |
| キーワード(8)（和/英） | 局所的電子注入 / local electron injection |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji / ミヤジ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中丸 周平 / Shuhei Tanakamaru / タナカマル シュウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 健太郎 / Kentaro Honda / ホンダ ケンタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-08-27 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2010-145, ICD2010-60 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.182(SDM), no.183(ICD) |
| ページ範囲 | pp.115-120 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-08-19 (SDM, ICD) |
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