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講演抄録/キーワード
講演名 2010-08-27 16:25
極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価
柳 永勲遠藤和彦大内真一産総研)・亀井貴弘明大)・塚田順一山内洋美石川由紀産総研)・林田哲郎明大)・坂本邦博松川 貴産総研)・小椋厚志明大)・昌原明植産総研SDM2010-151 ICD2010-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-151 ICD2010-66
抄録 (和) ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し,結晶異方性ウェットエッチングによる原子レベルで平坦なFin側壁チャネルが,Vtばらつき低減に非常に有効であることを実験的に示した.また,Vtばらつき要因であるゲート材料の仕事関数とゲート酸化膜中電荷によるばらつき成分を分離することに成功した.更に,同じゲート面積を持つ微細化したPチャネルPVD-TiNゲートMulti-FinFETにおけるVtは,Fin本数の増加に伴い低下することが実験的に分かった. 
(英) The threshold voltage (Vt) variability in scaled FinFETs with gate length down to 20 nm was systematically investigated. It was found that the atomically flat Si-fin sidewall channels fabricated by using the orientation dependent wet etching are very effective to reduce the gate-stack origin Vt variations (VTV). By investigating the gate oxide thickness (Tox) dependence of VTV, the gate-stack origin, i.e., work function variation (WFV) and gate oxide charge (Qox) variation (OCV) origin VTV were successfully separated. Moreover, it was experimentally found that the Vt of the scaled P-channel PVD-TiN gate multi-FinFETs with the same gate area reduces with increasing the number of fins.
Keyword FinFET,Threshold Voltage, Variability
キーワード (和) フィンFET / しきい値電圧 / ばらつき / ゲート仕事関数 / / / /  
(英) FinFET / Threshold Voltage / Variability / Gate work function / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 182, SDM2010-151, pp. 149-154, 2010年8月.
資料番号 SDM2010-151 
発行日 2010-08-19 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-151 ICD2010-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-151 ICD2010-66

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2010-08-26 - 2010-08-27 
開催地(和) 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 
開催地(英) Sapporo Center for Gender Equality 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) On the Gate-Stack Origin Threshold Voltage Variability in Scaled FinFETs and Multi-FinFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フィンFET / FinFET  
キーワード(2)(和/英) しきい値電圧 / Threshold Voltage  
キーワード(3)(和/英) ばらつき / Variability  
キーワード(4)(和/英) ゲート仕事関数 / Gate work function  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳 永勲 / Yongxun Liu / リュウ ユウシュン
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大内 真一 / Shinich Ouchi / オオウチ シンイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀井 貴弘 / Takahiro Kamei / カメイ タカヒロ
第4著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚田 順一 / Junichi Tsukada / ツカダ ジュンイチ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山内 洋美 / Hiromi Yamauchi / ヤマウチ ヒロミ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 由紀 / Yuki Ishikawa / イシカワ ユキ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 林田 哲郎 / Tetsuro Hayashida / ハヤシダ テツロウ
第8著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂本 邦博 / Kunihiro Sakamoto / サカモト クニヒロ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ
第10著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ
第11著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク
第12著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of AIST (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-08-27 16:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-151, ICD2010-66 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.182(SDM), no.183(ICD) 
ページ範囲 pp.149-154 
ページ数
発行日 2010-08-19 (SDM, ICD) 


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