講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-08-27 16:00
「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子(東大)・角村貴昭(MIRAI-Selete)・Anil Kumar(東大)・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗(MIRAI-Selete)・寺田和夫(広島市大)・最上 徹(MIRAI-Selete)・平本俊郎(東大/MIRAI-Selete) SDM2010-150 ICD2010-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-150 ICD2010-65 |
抄録 |
(和) |
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばらつきおよびGmばらつきのみではなく、「電流立上り電圧」ばらつきによってもばらつくことを明らかにした。また、シミュレーションと実測により、「電流立上り電圧」ばらつきが、不純物によるチャネルポテンシャルの揺らぎに起因することを明らかにした。 |
(英) |
It is revealed that drain current variability is fluctuated by “current-onset voltage” as well as threshold voltage VTH and transconductance Gm. Device-matrix-array (DMA) TEG with 8k transistors fabricated by the 65nm technology is measured. Moreover, it is found by 3D device simulation and measured data that “current-onset voltage” variability is mainly determined by the channel potential fluctuates by random dopant fluctuations (RDF). |
キーワード |
(和) |
電流ばらつき / MOSFET / しきい値電圧 / / / / / |
(英) |
drain current variability / MOSFET / threshold voltage / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 182, SDM2010-150, pp. 143-148, 2010年8月. |
資料番号 |
SDM2010-150 |
発行日 |
2010-08-19 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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