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講演抄録/キーワード
講演名 2010-08-27 16:00
「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
水谷朋子東大)・角村貴昭MIRAI-Selete)・Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2010-150 ICD2010-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-150 ICD2010-65
抄録 (和) 大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばらつきおよびGmばらつきのみではなく、「電流立上り電圧」ばらつきによってもばらつくことを明らかにした。また、シミュレーションと実測により、「電流立上り電圧」ばらつきが、不純物によるチャネルポテンシャルの揺らぎに起因することを明らかにした。 
(英) It is revealed that drain current variability is fluctuated by “current-onset voltage” as well as threshold voltage VTH and transconductance Gm. Device-matrix-array (DMA) TEG with 8k transistors fabricated by the 65nm technology is measured. Moreover, it is found by 3D device simulation and measured data that “current-onset voltage” variability is mainly determined by the channel potential fluctuates by random dopant fluctuations (RDF).
キーワード (和) 電流ばらつき / MOSFET / しきい値電圧 / / / / /  
(英) drain current variability / MOSFET / threshold voltage / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 182, SDM2010-150, pp. 143-148, 2010年8月.
資料番号 SDM2010-150 
発行日 2010-08-19 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-150 ICD2010-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-150 ICD2010-65

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2010-08-26 - 2010-08-27 
開催地(和) 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 
開催地(英) Sapporo Center for Gender Equality 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Random Drain Current Variation Caused by "Current-Onset Voltage" Variability in Scaled MOSFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電流ばらつき / drain current variability  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) しきい値電圧 / threshold voltage  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 角村 貴昭 / Takaaki Tsunomura / ツノムラ タカアキ
第2著者 所属(和/英) MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Anil Kumar / Anil Kumar / アニル クマール
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西田 彰男 / Akio Nishida / ニシダ アキオ
第4著者 所属(和/英) MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ
第5著者 所属(和/英) MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲葉 聡 / Satoshi Inaba / イナバ サトシ
第6著者 所属(和/英) MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ
第7著者 所属(和/英) MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺田 和夫 / Kazuo Terada / テラダ カズオ
第8著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 最上 徹 / Tohru Mogami / モガミ トオル
第9著者 所属(和/英) MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
MIRAI-Selete (略称: MIRAI-Selete)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第10著者 所属(和/英) 東京大学/MIRAI-Selete (略称: 東大/MIRAI-Selete)
University of Tokyo/MIRAI-Selete (略称: Univ. of Tokyo/MIRAI-Selete)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-08-27 16:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-150, ICD2010-65 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.182(SDM), no.183(ICD) 
ページ範囲 pp.143-148 
ページ数
発行日 2010-08-19 (SDM, ICD) 


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