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講演抄録/キーワード
講演名 2010-08-27 10:15
[招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発
前田展秀金 永ソク東大)・彦坂幸信恵下 隆富士通セミコンダクター)・北田秀樹藤本興治東大)・水島賢子富士通研)・鈴木浩助大日本印刷)・中村友二富士通研)・川合章仁荒井一尚ディスコ)・大場隆之東大SDM2010-141 ICD2010-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-141 ICD2010-56
抄録 (和) 200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した.裏面研削後にできる200nmの非結晶層はウルトラポリグラインドを適用すれば50nmまで除去され,またCMPやドライポリッシュを適用すれば完全に除去される.強誘電体(FRAM)デバイスウェハーを9μmまで薄化しても,スイッチングチャージは変化しなかった.CMOSロジックデバイスを7μmまで薄化した場合もオン電流と接合リークに変化はなかった.10μm以下の薄化によりビアラストプロセスにおけるシリコン貫通電極(TSV)のアスペクト比を4以下にすることができる. 
(英) 200-mm and 300-mm device wafers were successfully thinned down to less than 10-μm. A 200-nm non-crystalline layer remaining after the high-rate Back Grind process was partially removed down to 50-nm by Ultra Poligrind process, or was completely removed with either Chemical Mechanical Planarization or Dry Polish. For FRAM device wafers thinned down to 9-μm, switching charge showed no change by the thinning process. CMOS logic device wafers thinned to 7-μm indicated neither change in Ion current nor junction leakage current. Thinning such wafers to <10-μm will allow for lower aspect ratio less than 4 of Through-Silicon-Via (TSV) in a via-last process.
キーワード (和) 3次元集積化 / ウェハー薄化 / ウェハー積層 / / / / /  
(英) 3D Integration / Wafer thinning / WOW / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 182, SDM2010-141, pp. 95-97, 2010年8月.
資料番号 SDM2010-141 
発行日 2010-08-19 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-141 ICD2010-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-141 ICD2010-56

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2010-08-26 - 2010-08-27 
開催地(和) 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 
開催地(英) Sapporo Center for Gender Equality 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of sub-10um Thinning Technology using Actual Device Wafers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3次元集積化 / 3D Integration  
キーワード(2)(和/英) ウェハー薄化 / Wafer thinning  
キーワード(3)(和/英) ウェハー積層 / WOW  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 展秀 / Nobuhide Maeda / マエダ ノブヒデ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 金 永ソク / Kim Youngsuk / キム ヨンソク
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 彦坂 幸信 / Yukinobu Hikosaka / ヒコサカ ユキノブ
第3著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: 富士通セミコンダクター)
Fujitsu Semiconductor Limited (略称: FSL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 恵下 隆 / Takashi Eshita / エシタ タカシ
第4著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: 富士通セミコンダクター)
Fujitsu Semiconductor Limited (略称: FSL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 北田 秀樹 / Hideki Kitada / キタダ ヒデキ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤本 興治 / Koji Fujimoto / フジモト コウジ
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 水島 賢子 / Yoriko Mizushima / ミズシマ ヨリコ
第7著者 所属(和/英) 株式会社 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Limited (略称: Fujitsu Labs.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 浩助 / Kousuke Suzuki / スズキ コウスケ
第8著者 所属(和/英) 大日本印刷株式会社 (略称: 大日本印刷)
Dai Nippon Printing Co., Ltd. (略称: DNP)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ
第9著者 所属(和/英) 株式会社 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Limited (略称: Fujitsu Labs.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 川合 章仁 / Akihito Kawai / カワイ アキヒト
第10著者 所属(和/英) 株式会社ディスコ (略称: ディスコ)
DISCO Corporation (略称: DISCO)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 一尚 / Kazuhisa Arai / アライ カズヒサ
第11著者 所属(和/英) 株式会社ディスコ (略称: ディスコ)
DISCO Corporation (略称: DISCO)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 大場 隆之 / Takayuki Ohba / オオバ タカユキ
第12著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-08-27 10:15:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-141, ICD2010-56 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.182(SDM), no.183(ICD) 
ページ範囲 pp.95-97 
ページ数
発行日 2010-08-19 (SDM, ICD) 


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