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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-28 16:40 高周波スパッタリングによるニッケル酸化物の作製及び評価 ○永田篤史・内田和男・小泉 淳・小野 洋・野崎眞次（電通大）  CPM2010-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-96 |
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| 抄録 | （和） | ITO、ZnOに代表される酸化物半導体の電気伝導はn型が主流であるが、NiOxはイントリンシックでp型伝導を有する酸化物半導体と長年報告されている。しかしその電気伝導の正確な測定は、低い移動度のために、困難であり今だ不確定である。本研究はRFスパッタリングによるNiOx薄膜の作製とその正確な伝導性の判定を含む物性評価を報告する。NiOx薄膜は製膜時のO２分圧を変化することによりその抵抗値の制御が可能である。これよりO２分圧のNiOx薄膜の電気特性、光学的特性、結晶構造に関する依存性について評価を行った。結果として、NiOx薄膜作製時のO２分圧が高い場合、低抵抗となり、透過率は低くなる傾向を示した。これはスパッタ時のO２分圧が高い時、Ni空孔に関連する欠陥が発生し、それがp型伝導を具現化していると同時に、欠陥準位による光吸収が増えるためだと考えられる。 |
| （英） | NiOx as a transparent oxide semiconductor has been known long to show an intrinsic p-type conductivity although most of oxide semiconductors such as ITO and ZnO show n type. It is uncertain that NiOx really shows p-type conductivity due to accuracy for measurements caused by its low mobility. In this work we report the growth and characterization of NiOx films grown by RF-sputtering method. Since we have found that the electric conductivity of NiOx films were controlled by the O2 partial pressure during sputtering, electrical, optical and structural properties of NiOx films were examined in detailed. Especially detailed analysis of electrical conductivity measurement was carried out. As the result, NiOx films show low resistivity with p-type conductivity when O2 partial pressure is low but their transparency became deteriorated. This can be attributed that Ni vacancies are responsible for the p-type conductivity but their optical level in the gap increase light absorption such as color centers. | |
| キーワード | （和） | ニッケル酸化物半導体 / ニッケル酸化物 / NiOx / NiO / ｐ型酸化物半導体 / / / |
| （英） | Nickel oxide semiconductor / Nickel oxide / NiOx / NiO / p-type oxide semiconductor / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-96, pp. 27-31, 2010年10月. | |
| 資料番号 | CPM2010-96 | |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-10-28 - 2010-10-29 |
| 開催地（和） | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高周波スパッタリングによるニッケル酸化物の作製及び評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structure and electric properties of RF-sputtered p-type nickel oxide thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ニッケル酸化物半導体 / Nickel oxide semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ニッケル酸化物 / Nickel oxide |
| キーワード(3)（和/英） | NiOx / NiOx |
| キーワード(4)（和/英） | NiO / NiO |
| キーワード(5)（和/英） | ｐ型酸化物半導体 / p-type oxide semiconductor |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 篤史 / Atsushi Nagata / ナガタ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 和男 / Kazuo Uchida / ウチダ カズオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小泉 淳 / Atsushi Koizumi / コイズミ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 洋 / Hiroshi Ono / オノ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野崎 眞次 / Shinji Nozaki / ノザキ シンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-28 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-96 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.261 |
| ページ範囲 | pp.27-31 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) |
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