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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-28 17:05 FTS法にUBMS法を組み合わせた方法によるSrAl2O4:Eu, Dy薄膜の作製 ○久野敬史・齋藤 稔・小林和晃・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大）  CPM2010-97 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-97 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，通常の対向ターゲット式スパッタ（FTS）法及びFTS法にアンバランスドマグネトロンスパッタ（UBMS）法を組み合わせた方法を用いて膜を堆積した後，3.0×10-3 Paまで排気した真空中，1000℃にて熱処理する方法により，SrAl2O4：Eu2+，Dy3+膜を作製するとともに，膜堆積法の違いによる堆積速度や薄膜の特性の検討を行った。その結果，堆積速度においては，通常のFTS法よりFTS法にUBMS法を組み合わせた方法の方が全体的にどの条件においても若干速いことが分かった。全ての熱処理を行った膜から顕著な発光スペクトルが観測され，どの膜からも波長420nm付近，波長530nm付近，波長670nm付近の発光が観測された。 |
| （英） | In order to examine deposition rate and characteristics of thin films,SrAl2O4 : Eu2+,Dy3+ thin films was attempted by post-annealing in vacuum less than 3.0×10-3 Pa of the films deposited with conventional facing target sputtering (FTS) method and combined the unbalanced magnetron sputtering(UBMS) and the facing target sputtering method. As a result, the deposition rate was slightly faster FTS+UBMS method than conventional FTS method. All the films by post-annealing in vacuum were observed remarkable luminescence emission spectrum. All the films had luminescence from wavelength of about 420 nm, 530 nm, and 670 nm. | |
| キーワード | （和） | SrAl2O4：Eu2+,Dy3+薄膜 / 長残光性蛍光体 / スパッタ法 / 真空中熱処理 / / / / |
| （英） | SrAl2O4 : Eu2+,Dy3+ thin films / long-lasting phosphorescence / sputtering method / post-annealing in vacuum / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-97, pp. 33-37, 2010年10月. | |
| 資料番号 | CPM2010-97 | |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-97 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-97 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-10-28 - 2010-10-29 |
| 開催地（和） | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | FTS法にUBMS法を組み合わせた方法によるSrAl2O4:Eu, Dy薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of SrAl2O4:Eu, Dy thin films by combined the Unbalanced Magnetron Sputtering and the Facing Target Sputtering Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrAl2O4：Eu2+,Dy3+薄膜 / SrAl2O4 : Eu2+,Dy3+ thin films |
| キーワード(2)（和/英） | 長残光性蛍光体 / long-lasting phosphorescence |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ法 / sputtering method |
| キーワード(4)（和/英） | 真空中熱処理 / post-annealing in vacuum |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久野 敬史 / Takashi Kuno / クノ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 稔 / Minoru Saito / サイトウ ミノル |
| 第2著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 和晃 / Kazuaki Kobayashi / コバヤシ カズアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / シミズ ヒデヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩野 春男 / Haruo Iwano / イワノ ハルオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami / カワカミ タカヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima / フクシマ ヤスオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 向太郎 / Kotaro Nagata / ナガタ コウタロウ |
| 第8著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-28 17:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-97 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.261 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) |
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