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| 講演名 | 2010-10-29 09:50 MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価 ○村田裕亮・鈴木真一郎・小林尚平・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大）  CPM2010-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-101 |
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| 抄録 | （和） | n型SiC上にNH_3による直接窒化法で窒化膜を形成してMIS構造を作製した。電流電圧特性から理想係数nを求めた。得られた理想係数nと膜厚から界面準位密度を算出した。その結果、窒化膜を挿入した試料で界面準位密度の低減が確認された。このことからSiC表面を窒化することにより界面特性が向上することわかった。 |
| （英） | The nitride film was formed by direct nitridation with NH$_3$ on n type 4H-SiC to form an MIS Schottky diode. Ideality factor n was determined from the current-voltage characteristics of the MIS Schottky diode. The interface state density between nitride layer and SiC was calculated from the ideality factor and the film thickness. The results showed that the ideality factor n was useful parameter for evaluation of nitride/SiC interface. | |
| キーワード | （和） | SiC / MIS / ショットキー接触 / 界面準位密度 / 直接窒化 / / / |
| （英） | SiC / MIS / Schottky contact / Interface state density / direct nitridation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-101, pp. 51-54, 2010年10月. | |
| 資料番号 | CPM2010-101 | |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-101 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-10-28 - 2010-10-29 |
| 開催地（和） | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of interface state density at nitride/SiC interface using current-voltage characteristics of MIS Schottky contact |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(4)（和/英） | 界面準位密度 / Interface state density |
| キーワード(5)（和/英） | 直接窒化 / direct nitridation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 裕亮 / Yusuke Murata / ムラタ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 真一郎 / Shinichiro Suzuki / スズキ シンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 尚平 / Shohei Kobayashi / コバヤシ ショウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林部 林平 / Rinpei Hayashibe / ハヤシベ リンペイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-29 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-101 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.261 |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) |
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