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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-10 16:35 低温と室温におけるコンダクタンス法の組合せによるGe-MIS構造の界面準位密度評価 ○岩崎拓郎・佐藤真哉・鈴木聡一郎・小野俊郎（弘前大）・福田幸夫（諏訪東京理科大）・岡本 浩（弘前大）  CPM2011-64 |
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| 抄録 | （和） | 次世代のMOSデバイスに向けてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。我々はこれまでECR (Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法によって界面準位密度の低いMIS構造が作成できること、通常のコンダクタンス法評価が室温では適用できないGe-MIS構造においても反転領域における特性解析により界面準位密度の評価が可能であることなどを報告してきた。本報告では、上記Ge-MIS構造の界面準位評価において、低温におけるコンダクタンス法評価と室温における反転領域の特性解析を組み合わせた評価を行い、ミドルギャップ付近を中心としたバンドギャップ上半分と下半分における界面準位密度を得ることに成功した。得られたミドルギャップ付近の界面準位密度は1x10^{11}cm^{-2}eV^{-1}台であり、p型Ge-MIS構造としてはトップレベルの良好な値である。 |
| （英） | Ge-MIS structures have attracted the attention for next generation device, which may take the place of Si-MOS devices. However, further improvement of the interface quality is desired for the Ge-MIS structure. We have reported that the Ge-MIS structure with low interface state density can be made by ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma technique, and that the interface state density of Ge-MIS structure can be evaluated by the characteristic analysis in the inversion region even at room temperature. In this report, we evaluated the interface state density of Ge-MIS structure by combination of conductance technique at low temperature and the characteristic analysis at room temperature. We have successfully obtained the interface state density in the upper half and the lower half of the band gap. The measured interface state density near the middle of the band gap is in a level of 1x10^{11}cm^{-2}eV^{-1}, which is a excellent value for p-type Ge-MIS structure. | |
| キーワード | （和） | Ge / Ge-MIS / MIS / 界面準位 / コンダクタンス法 / / / |
| （英） | Ge / Ge-MIS / MIS / Interface State / Conductance Technique / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-64, pp. 43-46, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-64 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低温と室温におけるコンダクタンス法の組合せによるGe-MIS構造の界面準位密度評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of interface state density of Ge-MIS structure by combination of conductance technique at low temperature and room temperature |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | Ge-MIS / Ge-MIS |
| キーワード(3)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(4)（和/英） | 界面準位 / Interface State |
| キーワード(5)（和/英） | コンダクタンス法 / Conductance Technique |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩崎 拓郎 / Takuro Iwasaki / イワサキ タクロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 真哉 / Shinya Sato / サトウ シンヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 聡一郎 / Soitiro Suzuki / スズキ ソウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 俊郎 / Toshiro Ono / オノ トシロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 幸夫 / Yukio Fukuda / フクダ ユキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 諏訪東京理科大学 (略称： 諏訪東京理科大) Tokyo University of Science, Suwa (略称： Tokyo Univ. of Science, Suwa,) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 浩 / Hiroshi Okamoto / オカモト ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-10 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-64 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
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