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講演抄録/キーワード
講演名 2011-10-26 13:50
RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性
樫出 淳名越克仁富口祐輔清水英彦岩野春男川上貴浩永田向太郎福嶋康夫坪井 望野本隆宏新潟大CPM2011-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-111
抄録 (和) 本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法(低電圧スパッタ法)に注目し,この方法により室温にてAZO薄膜を作製し,検討を行った。その結果,低電圧スパッタ法にて作製した薄膜の結晶性及び電気特性は,通常のDCマグネトロンスパッタ法に比べ,基板位置による変化が少なかった。これらのことから,膜面内方向における特性の変化を抑制する方法として低電圧スパッタ法は有効であると考えられた。 
(英) In order to examine that influence of low voltage sputtering method on properties of AZO thin films, deposition of AZO thin films was attempted at the room temperature by the RF-DC coupled magnetron sputtering method. As a result, crystallinity and electrical properties of AZO thin films deposited by low voltage sputtering method were small changes in substrate positions compared with properties of AZO thin films deposited by DC magnetron sputtering method. Therefore, it was thought that RF-DC coupled magnetron sputtering method was a useful technique for improvements of the characteristic change in the film plane direction.
キーワード (和) ZnO系透明導電膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 結晶性 / エロージョン / / / /  
(英) ZnO thin films / RF-DC coupled MS method / crystallinity / Erosion / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-111, pp. 11-15, 2011年10月.
資料番号 CPM2011-111 
発行日 2011-10-19 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2011-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-111

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2011-10-26 - 2011-10-27 
開催地(和) 福井大学 産学官連携本部研修室 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Properties of AZO Thin Films Deposited at Room Temperature by the RF-DC Coupled Magnetron Sputtering Method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ZnO系透明導電膜 / ZnO thin films  
キーワード(2)(和/英) RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled MS method  
キーワード(3)(和/英) 結晶性 / crystallinity  
キーワード(4)(和/英) エロージョン / Erosion  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 樫出 淳 / Jun Kashiide / カシイデ ジュン
第1著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 名越 克仁 / Katsuhito Nagoshi / ナゴシ カツヒト
第2著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 富口 祐輔 / Yusuke Tomiguchi / トミグチ ユウスケ
第3著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / シミズ ヒデヒコ
第4著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩野 春男 / Haruo Iwano / イワノ ハルオ
第5著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami / カワカミ タカヒロ
第6著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 向太郎 / Kotaro Nagata / ナガタ コウタロウ
第7著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima / フクシマ ヤスオ
第8著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 坪井 望 / Nozomu Tsuboi / ツボイ ノゾム
第9著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 野本 隆宏 / Takahiro Nomoto / ノモト タカヒロ
第10著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-10-26 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2011-111 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.264 
ページ範囲 pp.11-15 
ページ数
発行日 2011-10-19 (CPM) 


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