講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-26 13:50
RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性 ○樫出 淳・名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・永田向太郎・福嶋康夫・坪井 望・野本隆宏(新潟大) CPM2011-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-111 |
抄録 |
(和) |
本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法(低電圧スパッタ法)に注目し,この方法により室温にてAZO薄膜を作製し,検討を行った。その結果,低電圧スパッタ法にて作製した薄膜の結晶性及び電気特性は,通常のDCマグネトロンスパッタ法に比べ,基板位置による変化が少なかった。これらのことから,膜面内方向における特性の変化を抑制する方法として低電圧スパッタ法は有効であると考えられた。 |
(英) |
In order to examine that influence of low voltage sputtering method on properties of AZO thin films, deposition of AZO thin films was attempted at the room temperature by the RF-DC coupled magnetron sputtering method. As a result, crystallinity and electrical properties of AZO thin films deposited by low voltage sputtering method were small changes in substrate positions compared with properties of AZO thin films deposited by DC magnetron sputtering method. Therefore, it was thought that RF-DC coupled magnetron sputtering method was a useful technique for improvements of the characteristic change in the film plane direction. |
キーワード |
(和) |
ZnO系透明導電膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 結晶性 / エロージョン / / / / |
(英) |
ZnO thin films / RF-DC coupled MS method / crystallinity / Erosion / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-111, pp. 11-15, 2011年10月. |
資料番号 |
CPM2011-111 |
発行日 |
2011-10-19 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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