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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-26 14:55 MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製 ○堀田 徹・杉田憲一・A. G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）  CPM2011-113 |
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| 抄録 | （和） | InGaNとInAlNによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件を確立し、中間組成領域のInAlNとInGaNとのヘテロ構造の作製を検討した。その結果、相分離やIn析出のないn-In0.3Al0.7N /p-In0.2Ga0.8N ヘテロ接合を作製し、この構造で初めて整流性と光応答を確認した。 |
| （英） | MOVPE growth of InAlN and InGaN has been studied in order to develop basic technologies for InAlN/InGaN heterostructure devices. By changing growth temperature and TMI/(TMI+TEG) or TMI/(TMI+TMA) molar ratio, single crystalline InGaN and InAlN films with an intermediate composition range have been grown without phase separation and metallic In inclusions. A n-In0.3Al0.7N/p-In0.2Ga0.8N hetero-structure has been successfully prepared and its rectification behavior and photo-response has been confirmed for the first time. | |
| キーワード | （和） | InAlN / InGaN / ヘテロ構造 / MOVPE / / / / |
| （英） | InAlN / InGaN / heterojunction / MOVPE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-113, pp. 23-26, 2011年10月. | |
| 資料番号 | CPM2011-113 | |
| 発行日 | 2011-10-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-113 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-10-26 - 2011-10-27 |
| 開催地（和） | 福井大学 産学官連携本部研修室 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of n-InAlN/p-InGaN heterojunction with an intermediate In composition range |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlN / InAlN |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ構造 / heterojunction |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 徹 / Toru Hotta / ホッタ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉田 憲一 / Kenichi Sugita / スギタ ケンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | A. G. Bhuiyan / A. G. Bhuiyan / |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto / ハシモト アキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 あき勇 / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-26 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-113 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.264 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-10-19 (CPM) |
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