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講演抄録/キーワード
講演名 2011-10-27 09:55
TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製
逸見充則井口裕哉酒井崇史杉田暁彦山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2011-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-119
抄録 (和) TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さらにH$_2$中でアニールを行なった。SiC表面と堆積させた酸化膜の界面特性および酸化膜の欠陥を評価するために、MOSキャパシタを作製した。MOSキャパシタの界面準位密度はTEOS酸化膜にN$_2$アニールのみを行なった試料が最も低く、伝導帯端から0.2eVでD$_{it}$=1.5$\times$ 10$^{11}$cm$^{-2}$eV$^{-1}$となった。また、H$_2$アニールをすることで、酸化膜中の固定電荷を低減させることができた。TEOS酸化膜にアニール処理を行なうことでSiO$_2$/SiC界面の界面特性の向上や酸化膜の欠陥の減少が見込まれる。 
(英) A oxide layer was deposited on a SiC surface by thermal chemical vapor deposition as a source material TEOS. After the deposition of the oxide layer , samples were annealed in N$_2$ atmosphere and H$_2$ atmosphere. The metal-oxide-semiconductor capacitor was formed to measure the interface properties between SiC surface and oxide layer and the properties of the defects in oxide layer. The lowest interface state density was obtained for the sample annealed N$_2$ atmosphere. The interface state density of those sample was 1.5$\times$ 10$^{11}$cm$^{-2}$eV$^{-1}$ at 0.2eV below the conduction band edge. The fixed oxide charge in oxide layer has been decreased by H$_2$ annealing. Annealed TEOS oxide layer will caused improvement of SiO$_2$/SiC interface properties and reduction of defects in oxide layer.
キーワード (和) SiC / TEOS / MOS / 界面準位 / 固定電荷 / / /  
(英) SiC / TEOS / MOS / interface states / fixed oxide charge / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-119, pp. 51-54, 2011年10月.
資料番号 CPM2011-119 
発行日 2011-10-19 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード CPM2011-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-119

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2011-10-26 - 2011-10-27 
開催地(和) 福井大学 産学官連携本部研修室 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation of SiC MOS structure using SiO2 Layer deposited by Thermal Decomposition of TEOS 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(2)(和/英) TEOS / TEOS  
キーワード(3)(和/英) MOS / MOS  
キーワード(4)(和/英) 界面準位 / interface states  
キーワード(5)(和/英) 固定電荷 / fixed oxide charge  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 逸見 充則 / Mitsunori Hemmi / ヘンミ ミツノリ
第1著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井口 裕哉 / Yuya Iguchi / イグチ ユウヤ
第2著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 崇史 / Takashi Sakai / サカイ タカシ
第3著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉田 暁彦 / Akihiko Sugita / スギタ アキヒコ
第4著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ
第5著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 林部 林平 / Rinpei Hayashibe / ハヤシベ リンペイ
第6著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ
第7著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
Shinshu University (略称: Shinshu Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-10-27 09:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2011-119 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.264 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数
発行日 2011-10-19 (CPM) 


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