講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-27 10:20
MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 ○三原章宏・杉田憲一・Ashraful G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇(福井大)・渡邉則之・重川直輝(NTT) CPM2011-120 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-120 |
抄録 |
(和) |
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n-InGaNとp-Siとの間で不純物の高濃度添加なしにトンネル接合が形成されることが予想されている。我々は、そのような利点を生かしたInGaN/Si構造タンデム太陽電池の実現をねらいとして、Si(111)基板上へのInGaN膜のMOVPE成長を検討した。その結果、TMI/(TMI+TGE)供給モル比ならびに成長温度の最適化によりIn組成0~0.49のInGaN単結晶膜成長を実現した。 |
(英) |
This paper reports on the MOVPE growth of InxGa1-xN with x up to ~0.49 on AlN/Si(111) substrates. Single-crystalline InxGa1-xN films with x up to ~0.49 are successfully grown on Si(111) substrates without phase separation and metallic In incorporation by changing the growth temperature and TMI/(TMI+TEG) molar ratio. These works will allow us towards the fabrication of the future InGaN-Si tandem cell using MOVPE. |
キーワード |
(和) |
InGaN / Si(111) / MOVPE / / / / / |
(英) |
InGaN / Si(111) / MOVPE / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-120, pp. 55-58, 2011年10月. |
資料番号 |
CPM2011-120 |
発行日 |
2011-10-19 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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