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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-07 14:35 KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ○Roland Nowak・Miftahul Anwar・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）  ED2011-144 SDM2011-161 |
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| 抄録 | （和） | We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure surface potential of thin channel of nanoscale field effect transistor and characterize the effect of electron injection. At low temperature, we observe that potentials of individual dopants disappear in digital manner, which corresponds to single-electron trapping by a donor. At room temperature, on the other hand, we conclude from the KFM observations that dopants potentials are continuously screened by non-localized electrons. Both types of screening mechanisms are correlated with transport mechanisms, i.e. electron tunneling through donors at low temperature and drift-diffusion current at room temperature. |
| （英） | We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure surface potential of thin channel of nanoscale field effect transistor and characterize the effect of electron injection. At low temperature, we observe that potentials of individual dopants disappear in digital manner, which corresponds to single-electron trapping by a donor. At room temperature, on the other hand, we conclude from the KFM observations that dopants potentials are continuously screened by non-localized electrons. Both types of screening mechanisms are correlated with transport mechanisms, i.e. electron tunneling through donors at low temperature and drift-diffusion current at room temperature. | |
| キーワード | （和） | Kelvin Probe Force Microscope / silicon-on-insulator field-effect transistor / single-electron charging / / / / / |
| （英） | Kelvin Probe Force Microscope / silicon-on-insulator field-effect transistor / single-electron charging / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-144, pp. 13-18, 2012年2月. | |
| 資料番号 | ED2011-144 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-144 SDM2011-161 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | KFM observation of individual dopant potentials and electron charging |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Kelvin Probe Force Microscope / Kelvin Probe Force Microscope |
| キーワード(2)（和/英） | silicon-on-insulator field-effect transistor / silicon-on-insulator field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | single-electron charging / single-electron charging |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Roland Nowak / Roland Nowak / |
| 第1著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Miftahul Anwar / Miftahul Anwar / |
| 第2著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Daniel Moraru / Daniel Moraru / |
| 第3著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Takeshi Mizuno / Takeshi Mizuno / |
| 第4著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ryszard Jablonski / Ryszard Jablonski / |
| 第5著者 所属（和/英） | Warsaw University of Technology (略称： Warsaw Univ. of Tech.) Warsaw University of Technology (略称： Warsaw Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Michiharu Tabe / Michiharu Tabe / |
| 第6著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-07 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-144, SDM2011-161 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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