| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-07 14:10 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 ○葛屋陽平・モラル ダニエル・水野武志・田部道晴（静岡大）・水田 博（北陸先端大/サザンプトン大）  ED2011-143 SDM2011-160 |
|
| 抄録 | （和） | MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチャネル寸法ではドーパント原子の個別性がデバイス特性に大きな影響を与えるためである。我々は、最近、逆の視点からドーパント原子を量子ドットして積極的に用いたデバイスの研究を行っている。このような状況下でナノ構造内のドーパントの電子状態を調べることが極めて重要となる。今回、第一原理計算によってSiナノチャネル中にあるPドーパントのドナーレベル，イオン化エネルギー，電子状態の空間分布の3つについて調べたので報告する。 |
| （英） | Dopant-induced fluctuation of MOSFET characteristics along with device miniaturization has been recognized as a serious problem for further development of Si technology. We study this issue from a different viewpoint and try to develop novel devices which utilize individual dopant atoms as quantum dots. In this regard, it is important to investigate electronic states of dopant in Si nano structures. We performed first-principle simulation of electronic states for phosphorus donors in a Si nano-channel. In this paper, we report on phosphorus donor levels, ionization energy and spatial distribution of electronic states in Si nano channels. | |
| キーワード | （和） | 第一原理計算 / イオン化エネルギー / 電子状態の空間分布 / ナノ / MOSFET / / / |
| （英） | Ab initio / ionization energy / spatial distribution of electronic / nano / MOSFET / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 426, SDM2011-160, pp. 7-11, 2012年2月. | |
| 資料番号 | SDM2011-160 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-143 SDM2011-160 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ab initio Analysis of Electronic States for Single Phosphorus Dopants in Silicon Nanorod Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 第一原理計算 / Ab initio |
| キーワード(2)（和/英） | イオン化エネルギー / ionization energy |
| キーワード(3)（和/英） | 電子状態の空間分布 / spatial distribution of electronic |
| キーワード(4)（和/英） | ナノ / nano |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛屋 陽平 / Youhei Kuzuya / クズヤ ヨウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | モラル ダニエル / Daniel Moraru / モラル ダニエル |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水野 武志 / Takeshi Mizuno / ミズノ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田部 道晴 / Michiharu Tabe / タベ ミチハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水田 博 / Hiroshi Mizuta / ミズタ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学/サザンプトン大学 (略称： 北陸先端大/サザンプトン大) Japan Advanced Institute of Science and Technology/University of Southampton (略称： JAIST/Univ. of Southampton) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-07 14:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2011-143, SDM2011-160 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]