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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-08 11:25 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴 ○西口克彦・藤原 聡（NTT）  ED2011-154 SDM2011-171 |
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| 抄録 | （和） | Subthreshold swing (S値)が小さいシリコンMOSFETを利用した確率共鳴について報告する．細線チャネルの電流特性を3つのゲートで制御することにより，寄生バイポーラ・トランジスタ効果によって電流特性のS値が小さくなる．また，バイアス電圧に依存するヒステリシス特性と組み合わせることで，確率共鳴現象の効果が改善されることが分かった．これらの特徴を利用することで，MOSFETの閾値電圧よりも小さな入力信号を検出することが可能となり，その応用としてパターン暗号・復号への利用について紹介する． |
| （英） | We demonstrate stochastic resonance (SR) using nanoscale metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with small subthreshold swing. The MOSFET has a wire channel with triple gates and shows current characteristics, whose subthreshold swing is much smaller than 60 mV/dec owing to a parasitic bipolar transistor. The strong nonlinearity and hysteresis of current characteristics of the MOSFET increase the effect of SR, which allows the MOSFET to output a signal similar to an input signal, which is much smaller than threshold voltage of a MOSFET. Additionally, using these features, we demonstrated pattern cryptography as a new application of SR. | |
| キーワード | （和） | トランジスタ / 確率共鳴 / センサ / / / / / |
| （英） | transistor / stochastic resonance / sensor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-154, pp. 71-76, 2012年2月. | |
| 資料番号 | ED2011-154 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-154 SDM2011-171 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stochastic resonance using a steep-subthreshold-swing transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トランジスタ / transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 確率共鳴 / stochastic resonance |
| キーワード(3)（和/英） | センサ / sensor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西口 克彦 / Katsuhiko Nishiguchi / |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-08 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-154, SDM2011-171 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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