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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-08 11:00 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 ○ファイズ サレ（静岡大/学振）・三輪一聡・池田浩也（静岡大）  ED2011-153 SDM2011-170 |
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| 抄録 | （和） | ナノ構造化によりゼーベック係数を増加するためには、フェルミエネルギーを不純物バンドの影響無しに制御する必要があることがわかってきた。不純物バンドの影響を除去するために、本報告では、外部電圧を印加することによる極薄SOI 層のゼーベック係数の変化を調べた。その結果、正電圧を印加することによってゼーベック係数が増加することがわかった。これは、P ドープ極薄SOI 層の特性と定性的に一致しており、SOI 層のフェルミエネルギーを外部電圧により制御できることを示唆している。 |
| （英） | We varied the Seebeck coefficient of an n-type silicon-on-insulator (SOI) sample by applying an external bias in order to control the Fermi energy of the SOI layer without the formation of impurity band. The Seebeck coefficient became increasingly negative with increasing positive external bias. This result qualitatively agrees with the characteristic of P-doped SOI layers because the positive bias reduces the Fermi energy of the SOI at the SOI/buried-oxide interface and reduces the electron concentration. Consequently, the Fermi energy can be controlled by controlling the external bias, which modifies the Seebeck coefficient of the SOI sample. | |
| キーワード | （和） | ゼーベック係数 / ナノ構造 / 不純物バンド / フェルミエネルギー / / / / |
| （英） | Seebeck coefficient / nanostructure / impurity-band formation / Fermi energy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 426, SDM2011-170, pp. 65-69, 2012年2月. | |
| 資料番号 | SDM2011-170 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-153 SDM2011-170 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Seebeck Coefficient of Ultrathin Si with Fermi Energy Controlled by External Bias |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ構造 / nanostructure |
| キーワード(3)（和/英） | 不純物バンド / impurity-band formation |
| キーワード(4)（和/英） | フェルミエネルギー / Fermi energy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ファイズ サレ / Faiz Salleh / ファイズ サレ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大/学振) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 一聡 / Kazutoshi Miwa / ミワ カズトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-08 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2011-153, SDM2011-170 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.65-69 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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