| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-08 14:15 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討 ○佐藤将来・村松 徹・葛西誠也（北大）  ED2011-158 SDM2011-175 |
|
| 抄録 | （和） | 半導体ナノワイヤ3分岐接合（TBJ）デバイスは，単純な構造ながら室温において特異な非線形特性を示し，アナログ回路やディジタル回路などへの様々な応用が期待されている．応用のためには動作機構に対する理解を深めることが不可欠である．本研究では，エッチングで形成したGaAsナノワイヤTBJデバイスへの光照射により局所的にコンダクタンスを増加させ構造中のコンダクタンスのドメイン箇所を同定する方法で非線形特性の評価を行い，これに基づき非線形動作の機構について検討する． |
| （英） | Semiconductor three-branch nanowire junction devices show nonlinear electrical characteristics at room temperature and they are expected to be applied to analog and digital circuit,but it is necessary that understanding the mechanism in order to be applied to circuits. In this study nonlinear characteristics in three-branch nanowire junction device is characterized by using method of increasing conductance by localized light irradiation to the device and the mechanism is discussed. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤ3分岐接合デバイス / 非線形伝達特性 / GaAs / / / / / |
| （英） | Three-branch nanowire junction (TBJ) device / Nonlinear transfer characteristic / GaAs / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-158, pp. 95-99, 2012年2月. | |
| 資料番号 | ED2011-158 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-158 SDM2011-175 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on nonlinear transfer characteristics in a GaAs three-branch nanowire junction device using a light-induced local conductance modulation method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ3分岐接合デバイス / Three-branch nanowire junction (TBJ) device |
| キーワード(2)（和/英） | 非線形伝達特性 / Nonlinear transfer characteristic |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 将来 / Masaki Sato / サトウ マサキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村松 徹 / Toru Muramatsu / ムラマツ トオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-08 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-158, SDM2011-175 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.95-99 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]