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講演抄録/キーワード
講演名 2012-05-18 11:15
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
吉原一輝加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33
抄録 (和) SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至っていない。よって結晶欠陥の評価が必要である。過去にp型4H-SiCへの深い準位の評価は数例報告されているものの、再結合中心として振る舞う深い準位についての報告はほとんどされていない。本研究では電子線照射により意図的に欠陥を導入したp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料を用いてCurrent Deep-level Transient Spectroscopyにより価電子帯付近の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射によって炭素空孔や格子間原子による複合欠陥が形成され、再結合中心として振る舞う可能性があることがわかった。 
(英) Silicon carbide (SiC) is a promising material for high power devices with low energy loss. However we have never completely understood crystal defects in SiC which influence on device performance, therefore we need to study for crystal defects. Although studies for deep-levels in p-type 4H-SiC have been reported, deep-levels acting as recombination centers have been seldom reported. In this work, we have measured deep-levels in (0001) Si face epitaxial p-type 4H-SiC layers with the current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS) method. A part of the samples were irradiated by electrons in order to introduce defects. As a result, we found electron irradiation to p-type 4H-SiC would create complex defects behaving as recombination centers rather than the carbon vacancy.
キーワード (和) 4H-SiC / 電流DLTS / 深い準位 / 電子線照射 / 炭素空孔 / / /  
(英) 4H-SiC / I-DLTS / deep-level / electron irradiation / carbon vacancy / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-15, pp. 67-72, 2012年5月.
資料番号 CPM2012-15 
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33

研究会情報
研究会 ED SDM CPM  
開催期間 2012-05-17 - 2012-05-18 
開催地(和) 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Toyohashi Univ. of Technol. 
テーマ(和) 結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-05-ED-SDM-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of recombination centers in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 4H-SiC / 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) 電流DLTS / I-DLTS  
キーワード(3)(和/英) 深い準位 / deep-level  
キーワード(4)(和/英) 電子線照射 / electron irradiation  
キーワード(5)(和/英) 炭素空孔 / carbon vacancy  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉原 一輝 / Kazuki Yoshihara / ヨシハラ カズキ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学大学院 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 武 / Takeshi Ohshima /
第5著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-05-18 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2012-31, CPM2012-15, SDM2012-33 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) 
ページ範囲 pp.67-72 
ページ数
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 


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