講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-05-18 11:15
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也(名工大)・畑山智亮(奈良先端大)・大島 武(原子力機構) ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
抄録 |
(和) |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至っていない。よって結晶欠陥の評価が必要である。過去にp型4H-SiCへの深い準位の評価は数例報告されているものの、再結合中心として振る舞う深い準位についての報告はほとんどされていない。本研究では電子線照射により意図的に欠陥を導入したp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料を用いてCurrent Deep-level Transient Spectroscopyにより価電子帯付近の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射によって炭素空孔や格子間原子による複合欠陥が形成され、再結合中心として振る舞う可能性があることがわかった。 |
(英) |
Silicon carbide (SiC) is a promising material for high power devices with low energy loss. However we have never completely understood crystal defects in SiC which influence on device performance, therefore we need to study for crystal defects. Although studies for deep-levels in p-type 4H-SiC have been reported, deep-levels acting as recombination centers have been seldom reported. In this work, we have measured deep-levels in (0001) Si face epitaxial p-type 4H-SiC layers with the current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS) method. A part of the samples were irradiated by electrons in order to introduce defects. As a result, we found electron irradiation to p-type 4H-SiC would create complex defects behaving as recombination centers rather than the carbon vacancy. |
キーワード |
(和) |
4H-SiC / 電流DLTS / 深い準位 / 電子線照射 / 炭素空孔 / / / |
(英) |
4H-SiC / I-DLTS / deep-level / electron irradiation / carbon vacancy / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-15, pp. 67-72, 2012年5月. |
資料番号 |
CPM2012-15 |
発行日 |
2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |