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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-18 11:15 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構）  ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
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| 抄録 | （和） | SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至っていない。よって結晶欠陥の評価が必要である。過去にp型4H-SiCへの深い準位の評価は数例報告されているものの、再結合中心として振る舞う深い準位についての報告はほとんどされていない。本研究では電子線照射により意図的に欠陥を導入したp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料を用いてCurrent Deep-level Transient Spectroscopyにより価電子帯付近の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射によって炭素空孔や格子間原子による複合欠陥が形成され、再結合中心として振る舞う可能性があることがわかった。 |
| （英） | Silicon carbide (SiC) is a promising material for high power devices with low energy loss. However we have never completely understood crystal defects in SiC which influence on device performance, therefore we need to study for crystal defects. Although studies for deep-levels in p-type 4H-SiC have been reported, deep-levels acting as recombination centers have been seldom reported. In this work, we have measured deep-levels in (0001) Si face epitaxial p-type 4H-SiC layers with the current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS) method. A part of the samples were irradiated by electrons in order to introduce defects. As a result, we found electron irradiation to p-type 4H-SiC would create complex defects behaving as recombination centers rather than the carbon vacancy. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / 電流DLTS / 深い準位 / 電子線照射 / 炭素空孔 / / / |
| （英） | 4H-SiC / I-DLTS / deep-level / electron irradiation / carbon vacancy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-15, pp. 67-72, 2012年5月. | |
| 資料番号 | CPM2012-15 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of recombination centers in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 電流DLTS / I-DLTS |
| キーワード(3)（和/英） | 深い準位 / deep-level |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線照射 / electron irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | 炭素空孔 / carbon vacancy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉原 一輝 / Kazuki Yoshihara / ヨシハラ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学大学院 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 武 / Takeshi Ohshima / |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-18 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2012-31, CPM2012-15, SDM2012-33 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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