ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2012-05-18 13:50
電気化学堆積Cu2O薄膜へのH2O2処理
宋 瑛市村正也名工大ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37
抄録 (和) Cu2Oはヘテロ接合型太陽電池への光吸収層として応用されている。しかし、バンドギャップが太陽電池の最適値より大きいという欠点がある。本研究では、バンドギャップを制御するため、電気化学堆積のCu2O薄膜をH2O2 (30%)に浸して酸化した。Cu2O薄膜はCuSO4の水溶液(乳酸とKOH水溶液でpHを12.5に調整)を用い、40℃付近でガルバノスタットの電気化学堆積法でITOの上に堆積した。そして作製したCu2O薄膜を90℃まで加熱したH2O2(30%)中で10, 20 と 30分酸化処理を試みた。H2O2処理によってCu2O薄膜の酸素組成比を増加させ、バンドギャップを縮小させることができた。 
(英) Cu2O is considered to be promising as an absorber layer material of solar cells, but its band gap is larger than the optimum one. Therefore, we attempted to oxidize Cu2O using H2O2 to increase oxygen ratio and decrease band gap. Cu2O thin films were deposited on indium-tin-oxide-coated glass from an aqueous solution containing CuSO4, lactic acid and KOH by the galvanostatic electrochemical deposition at 40ºC with current density of -1mA/cm2. Then, the as-prepared copper oxide thin film was dipped in H2O2 (30%) at 90ºC to oxidize for 10, 20 or 30 minutes. By the H2O2 treatment, the oxygen content was increased, and the band gap was decreased.
キーワード (和) Cu2O薄膜 / H2O2処理 / 光吸収 / 組成比率 / / / /  
(英) Cu2O thin film / H2O2 treatment / photo-absorption / composition ratio / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-19, pp. 91-94, 2012年5月.
資料番号 CPM2012-19 
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37

研究会情報
研究会 ED SDM CPM  
開催期間 2012-05-17 - 2012-05-18 
開催地(和) 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Toyohashi Univ. of Technol. 
テーマ(和) 結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-05-ED-SDM-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電気化学堆積Cu2O薄膜へのH2O2処理 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) H2O2 treatment of the Cu2O thin films deposited by the electrochemical method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Cu2O薄膜 / Cu2O thin film  
キーワード(2)(和/英) H2O2処理 / H2O2 treatment  
キーワード(3)(和/英) 光吸収 / photo-absorption  
キーワード(4)(和/英) 組成比率 / composition ratio  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 宋 瑛 / Ying Song / ソウ エイ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2012-05-18 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2012-35, CPM2012-19, SDM2012-37 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) 
ページ範囲 pp.91-94 
ページ数
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会