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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-18 13:25 Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions ○Junie Jhon M. Vequizo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）  ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 |
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| 抄録 | （和） | Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing facile electrodeposition technique from aqueous gallium sulfate solution with small amount of Na2S2O3 and H2O2. Effects of different deposition parameters such as deposition voltage, amount of H2O2 and deposition time were investigated and presented in this report. Sulfur peak could appear in the Auger electron spectroscopy (AES) spectra of the films deposited using Ga2(SO4)3-Na2S2O3-H2O2 solution depending on the applied voltage and deposition time. As-deposited films showed oxygen-rich characteristics as evident in the AES result. The films exhibited n-type conductivity and good photosensitivity from photoelectrochemical measurement. |
| （英） | Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing facile electrodeposition technique from aqueous gallium sulfate solution with small amount of Na2S2O3 and H2O2. Effects of different deposition parameters such as deposition voltage, amount of H2O2 and deposition time were investigated and presented in this report. Sulfur peak could appear in the Auger electron spectroscopy (AES) spectra of the films deposited using Ga2(SO4)3-Na2S2O3-H2O2 solution depending on the applied voltage and deposition time. As-deposited films showed oxygen-rich characteristics as evident in the AES result. The films exhibited n-type conductivity and good photosensitivity from photoelectrochemical measurement. | |
| キーワード | （和） | Gallium oxide / electrodeposition / AES / photoelectrochemical measurement / / / / |
| （英） | Gallium oxide / electrodeposition / AES / photoelectrochemical measurement / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-18, pp. 85-89, 2012年5月. | |
| 資料番号 | CPM2012-18 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Gallium oxide / Gallium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | electrodeposition / electrodeposition |
| キーワード(3)（和/英） | AES / AES |
| キーワード(4)（和/英） | photoelectrochemical measurement / photoelectrochemical measurement |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Junie Jhon M. Vequizo / Junie Jhon M. Vequizo / |
| 第1著者 所属（和/英） | Nagoya Institute of Technology (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Masaya Ichimura / Masaya Ichimura / |
| 第2著者 所属（和/英） | Nagoya Institute of Technology (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-18 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2012-34, CPM2012-18, SDM2012-36 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.85-89 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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