| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-06-22 14:45
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 ~ スパッタ法によるバッファー層挿入効果 ~ ○小柳貴寛・里本宗一・佐藤 魁・加藤孝弘(長岡技科大)・片桐裕則・神保和夫(長岡高専)・安井寛治(長岡技科大) EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34 |
| 抄録 |
(和) |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ZnO結晶膜を成長させた。透明導電膜への応用を目指し、ガラス基板上への成長におけるスパッタバッファー層の挿入効果を調べた。その結果、適切な厚さのスパッタバッファー層を挿入することで結晶配向性が改善すると共に、Hall移動度の値が大きくなりバッファー層挿入無しの膜に比べ低抵抗率の膜が得られた。 |
| (英) |
ZnO thin films were grown through a reaction between dimethylzinc and high-energy H_2O produced by a Pt-catalyzed H_2 O_2 reaction. For the application of transparent conductive thin films, the ZnO films were grown on glass substrates with and without sputtered buffer layers deposited at 250˚C. By the insertion of the buffer layer with an appropriate thickness, crystal orientation along c-axis was improved. Optical transparency and electrical resistivity were also improved by the insertion of the buffer layer. |
| キーワード |
(和) |
ZnO / 触媒反応 / CVD / ガラス基板 / X線回折 / 光透過率 / 抵抗率 / |
| (英) |
ZnO / catalytic reaction / CVD / glass substrate / X-ray diffraction / optical transparency / resistivity / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 96, CPM2012-27, pp. 13-18, 2012年6月. |
| 資料番号 |
CPM2012-27 |
| 発行日 |
2012-06-15 (EMD, CPM, OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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